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1. (WO2015120269) PROCÉDÉ CMP POUR SUPPRESSION DE NITRURE DE TITANE ET RETRAIT DE TITANE/NITRURE DE TITANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/120269 N° de la demande internationale : PCT/US2015/014815
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 06.02.2015
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION[US/US]; 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504, US
Inventeurs : HOU, Hui-Fang; US
WARD, William; US
YEH, Ming-Chih; US
TSAI, Chih-Pin; US
Mandataire : OMHOLT, Thomas; US
Données relatives à la priorité :
61/936,00905.02.2014US
Titre (EN) CMP METHOD FOR SUPPRESSION OF TITANIUM NITRIDE AND TITANIUM/TITANIUM NITRIDE REMOVAL
(FR) PROCÉDÉ CMP POUR SUPPRESSION DE NITRURE DE TITANE ET RETRAIT DE TITANE/NITRURE DE TITANE
Abrégé :
(EN) A chemical mechanical polishing (CMP) method for removal of a metal layer deposited over a titanium nitride (TiN) or titanium/titanium nitride (Ti/TiN) barrier layer is described herein. The method comprises abrading the metal layer with an acidic CMP composition to expose the underlying TiN or Ti/TiN layer, wherein the TiN or Ti/N layer is polished at a low rate due to the presence of a surfactant inhibitor. The acidic CMP composition comprises a particulate abrasive (e.g., silica, alumina) suspended in a liquid carrier containing a surfactant selected from the group consisting of an anionic surfactant, a nonionic surfactant, cation surfactants, and a combination thereof.
(FR) L'invention porte sur un procédé de polissage mécanique chimique (CMP) pour le retrait d'une couche métallique déposée sur une couche de barrière de nitrure de titane (TiN) ou de titane/nitrure de titane (Ti/TiN). Le procédé consiste à abraser la couche métallique au moyen d'une composition CMP acide pour présenter la couche de TiN ou Ti/TiN sous-jacente, la couche de TiN ou Ti/TiN étant polie à une vitesse faible en raison de la présence d'un agent tensioactif inhibiteur. La composition CMP acide comprend un abrasif particulaire (par exemple, de la silice, de l'alumine) en suspension dans un liquide porteur contenant un agent tensioactif choisi dans le groupe constitué d'un agent tensioactif anionique, d'un agent tensioactif non ionique, d'agents tensioactifs de cations, et d'une combinaison de ces derniers.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)