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1. (WO2015120269) PROCÉDÉ CMP POUR SUPPRESSION DE NITRURE DE TITANE ET RETRAIT DE TITANE/NITRURE DE TITANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/120269    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014815
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 06.02.2015
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 870 North Commons Drive Aurora, Illinois 60504 (US)
Inventeurs : HOU, Hui-Fang; (US).
WARD, William; (US).
YEH, Ming-Chih; (US).
TSAI, Chih-Pin; (US)
Mandataire : OMHOLT, Thomas; (US)
Données relatives à la priorité :
61/936,009 05.02.2014 US
Titre (EN) CMP METHOD FOR SUPPRESSION OF TITANIUM NITRIDE AND TITANIUM/TITANIUM NITRIDE REMOVAL
(FR) PROCÉDÉ CMP POUR SUPPRESSION DE NITRURE DE TITANE ET RETRAIT DE TITANE/NITRURE DE TITANE
Abrégé : front page image
(EN)A chemical mechanical polishing (CMP) method for removal of a metal layer deposited over a titanium nitride (TiN) or titanium/titanium nitride (Ti/TiN) barrier layer is described herein. The method comprises abrading the metal layer with an acidic CMP composition to expose the underlying TiN or Ti/TiN layer, wherein the TiN or Ti/N layer is polished at a low rate due to the presence of a surfactant inhibitor. The acidic CMP composition comprises a particulate abrasive (e.g., silica, alumina) suspended in a liquid carrier containing a surfactant selected from the group consisting of an anionic surfactant, a nonionic surfactant, cation surfactants, and a combination thereof.
(FR)L'invention porte sur un procédé de polissage mécanique chimique (CMP) pour le retrait d'une couche métallique déposée sur une couche de barrière de nitrure de titane (TiN) ou de titane/nitrure de titane (Ti/TiN). Le procédé consiste à abraser la couche métallique au moyen d'une composition CMP acide pour présenter la couche de TiN ou Ti/TiN sous-jacente, la couche de TiN ou Ti/TiN étant polie à une vitesse faible en raison de la présence d'un agent tensioactif inhibiteur. La composition CMP acide comprend un abrasif particulaire (par exemple, de la silice, de l'alumine) en suspension dans un liquide porteur contenant un agent tensioactif choisi dans le groupe constitué d'un agent tensioactif anionique, d'un agent tensioactif non ionique, d'agents tensioactifs de cations, et d'une combinaison de ces derniers.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)