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1. (WO2015120118) DIODE LASER MANUFACTURABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/120118    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014567
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 05.02.2015
CIB :
H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/42 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01)
Déposants : SORAA LASER DIODE, INC. [US/US]; 485 Pine Avenue Goleta, California 93117 (US)
Inventeurs : MCLAURIN, Melvin; (US).
SZTEIN, Alexander; (US).
HSU, Po Shan; (US).
GOUTAIN, Eric; (US).
STEIGERWALD, Dan; (US).
RARING, James W.; (US)
Mandataire : CATMULL, Kelvin B.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/176,403 10.02.2014 US
14/312,427 23.06.2014 US
14/600,506 20.01.2015 US
Titre (EN) MANUFACTURABLE LASER DIODE
(FR) DIODE LASER MANUFACTURABLE
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a laser diode device includes providing a substrate having a surface region and forming epitaxial material overlying the surface region, the epitaxial material comprising an n-type cladding region, an active region comprising at least one active layer overlying the n-type cladding region, and a p-type cladding region overlying the active layer region. The epitaxial material is patterned to form a plurality of dice, each of the dice corresponding to at least one laser device. Each of the plurality of dice are transferred to one or more carrier substrates, and at least one of the plurality of dice are processed on the one or more carrier substrates. The die are packaged with the substrate to configure a module device.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à diode laser, ledit procédé consiste à fournir un substrat comportant une région de surface et à former un matériau épitaxial qui recouvre la région de surface, le matériau épitaxial comprenant une région de placage de type n, une région active comprenant au moins une couche active recouvrant la région de placage de type n, et une région de placage de type p recouvrant la région de couche active. Le matériau épitaxial présente des motifs afin de former une pluralité de dés, chaque dé correspondant à au moins un dispositif laser. Chaque dé de la pluralité de dés est transféré à un ou plusieurs substrats de support, et au moins un dé de la pluralité de dés est traité sur le ou les substrats de support. Les dés sont emballés avec le substrat pour configurer un dispositif modulaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)