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1. (WO2015119798) DISPOSITIFS, SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR LIAISON DE SEMICONDUCTEURS AMÉLIORÉE PAR FORCE ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/119798    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012833
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 26.01.2015
CIB :
H01L 21/58 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : QIN, Shu; (US).
ZHANG, Ming; (US)
Mandataire : FOX, Mary L.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/173,489 05.02.2014 US
Titre (EN) DEVICES, SYSTEMS AND METHODS FOR ELECTROSTATIC FORCE ENHANCED SEMICONDUCTOR BONDING
(FR) DISPOSITIFS, SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR LIAISON DE SEMICONDUCTEURS AMÉLIORÉE PAR FORCE ÉLECTROSTATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of microelectronic devices and methods of manufacturing are described herein. In one embodiment, a method for enhancing wafer bonding includes positioning a substrate assembly on a unipolar electrostatic chuck in direct contact with an electrode, electrically coupling a conductor to a second substrate positioned on top of the first substrate, and applying a voltage to the electrode, thereby creating a potential differential between the first substrate and the second substrate that generates an electrostatic force between the first and second substrates.
(FR)L'invention concerne divers modes de réalisation de dispositifs microélectroniques ainsi que des procédés de fabrication. Dans un mode de réalisation, un procédé destiné à améliorer la liaison de galette comprend le positionnement d'un ensemble substrat sur un mandrin électrostatique unipolaire en contact direct avec une électrode, la connexion électrique d'un conducteur à un deuxième substrat positionné sur le dessus du premier substrat, et l'application d'une tension à l'électrode, créant ainsi entre le premier substrat et le deuxième substrat une différence de potentiel qui génère une force électrostatique entre les premier et deuxième substrats.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)