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1. (WO2015119742) PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE STRUCTURES À SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/119742    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/010759
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 09.01.2015
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED [SG/SG]; 9 Battery Road #15-01, Straits Trading Building Singapore 049910 (SG)
Inventeurs : RIES, Michael J.; (US).
LIBBERT, Jeffrey Louis; (US).
LOTTES, Charles R.; (US)
Mandataire : SCHUTH, Richard A.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/937,035 07.02.2014 US
Titre (EN) METHODS FOR PREPARING LAYERED SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE STRUCTURES À SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHES
Abrégé : front page image
(EN)Methods for preparing layered semiconductor structures are disclosed. The methods may involve pretreating an ion-implanted donor wafer by annealing the ion-implanted donor wafer to cause a portion of the ions to out-diffuse prior to wafer bonding. The donor structure may be bonded to a handle structure and cleaved without re-implanting ions into the donor structure.
(FR)L'invention concerne des procédés pour la préparation de structures à semi-conducteur en couches. Ces procédés peuvent consister à prétraiter une plaquette donneuse à implantation ionique par recuit de la plaquette donneuse à implantation ionique pour amener une partie des ions à diffuser vers l'extérieur avant le collage des plaquettes. La structure donneuse peut être collée à une structure de manipulation et soumise à un clivage sans ré-implantation d'ions dans la structure donneuse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)