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1. (WO2015119239) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FORMÉ À L'AIDE D'UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT

Pub. No.:    WO/2015/119239    International Application No.:    PCT/JP2015/053363
Publication Date: Fri Aug 14 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Sat Feb 07 00:59:59 CET 2015
IPC: H01B 5/14
B32B 9/00
C23C 14/08
H01B 13/00
Applicants: LINTEC CORPORATION
リンテック株式会社
Inventors: HARA Tsutomu
原 務
NAGANAWA Satoshi
永縄 智史
NAGAMOTO Koichi
永元 公市
Title: FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FORMÉ À L'AIDE D'UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
Abstract:
La présente invention concerne un film conducteur transparent ayant d'excellentes caractéristiques par chaleur humide, un procédé de production dudit film conducteur transparent, et un dispositif électronique formé à l'aide d'un tel film conducteur transparent. Ce film conducteur transparent comprend, sur au moins un côté d'un substrat de résine, une couche imperméable aux gaz et un film d'oxyde de zinc qui est formé selon un procédé de pulvérisation cathodique, le film d'oxyde de zinc comprenant de l'oxyde de zinc et étant formé par dopage de gallium et d'indium, et si, par rapport à la teneur totale (100 % atomique) de teneur en zinc, teneur en gallium, teneur en oxygène, et teneur en indium selon une mesure d'analyse élémentaire XPS, la teneur en indium est établie à une valeur comprise entre 0,01 et 25 % atomique, si la teneur en gallium est établie à une valeur comprise entre 0,1 et 10 % atomique, si la résistance spécifique initiale est appelée ρ0,, et si la résistance spécifique après stockage pendant 500 heures dans des conditions de 60 °C et 95 % d'humidité relative est appelée ρ500, alors le rapport représenté par ρ500/ρ0 est établi à une valeur maximale de 1,5, et l'épaisseur de film du film d'oxyde de zinc est établie à une valeur comprise entre 20 et 300 nm.