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1. (WO2015119073) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/119073    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052827
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : KANZAKI Yohsuke; .
KANEKO Seiji; .
SAITOH Takao; .
TAKAMARU Yutaka; .
IDE Keisuke;
Mandataire : OKUDA Seiji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-023697 10.02.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (100A) comprising: a substrate (11); a TFT (10A) having an oxide semiconductor layer (16) and supported by the substrate; an organic insulating layer (24) provided so as to cover the TFT; a lower-layer electrode (32) provided on the organic insulating layer; a dielectric layer (34) provided on the lower-layer electrode; and an upper-layer electrode (36) provided on the dielectric layer, and having a section thereof facing the lower-layer electrode with the dielectric layer interposed therebetween. The dielectric layer is a silicon nitride film having a hydrogen content of 5.33×1021/cm3 or less.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (100A) comprenant : un substrat (11); un TFT (10A) ayant une couche semi-conductrice d'oxyde (16) et étant supporté par le substrat; une couche isolante organique (24) disposée de sorte à recouvrir le TFT; une électrode de couche inférieure (32) disposée sur la couche isolante organique; une couche diélectrique (34) disposée sur l'électrode de couche inférieure; et une électrode de couche supérieure (36) disposée sur la couche diélectrique, et dont l'une des sections fait face à l'électrode de couche inférieure, la couche diélectrique étant interposée entre elles. La couche diélectrique est un film de nitrure de silicium ayant une teneur en hydrogène inférieure ou égale à 5,33 × 1021/cm3.
(JA) 半導体装置(100A)は、基板(11)と、基板に支持されたTFTであって、酸化物半導体層(16)を有するTFT(10A)と、TFTを覆うように設けられた有機絶縁層(24)と、有機絶縁層上に設けられた下層電極(32)と、下層電極上に設けられた誘電体層(34)と、誘電体層上に設けられた上層電極であって、誘電体層を介して下層電極に対向する部分を有する上層電極(36)とを備える。誘電体層は、水素含有量が5.33×1021個/cm3以下のシリコン窒化物膜である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)