WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015119067) SUBSTRAT DE DIAMANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DIAMANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/119067    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052792
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
C30B 29/04 (2006.01), C01B 31/06 (2006.01), C23C 16/01 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01)
Déposants : NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-Chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP)
Inventeurs : AIDA Hideo; (JP).
KOYAMA Koji; (JP).
IKEJIRI Kenjiro; (JP).
KIM Seongwoo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-020565 05.02.2014 JP
Titre (EN) DIAMOND SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE DIAMANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DIAMANT
(JA) ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a diamond substrate and a manufacturing method whereby cracking in the diamond substrate can be prevented by releasing stress during crystal growth, and the curvature radius of a crystal face inside the diamond substrate can be reduced to more than 0 km-1 and no more than 1500 km-1. [Solution] In the present invention, the curvature radius of an internal crystal face of a diamond substrate is set to more than 0 km-1 and no more than 1500 km-1 by preparing a base substrate, forming a plurality of columnar diamonds comprising diamond single crystals on one side of the base substrate, growing a diamond single crystal from the distal end of each of the columnar diamonds, coalescing the diamond single crystals grown from the distal ends of the columnar diamonds and forming a diamond substrate layer, separating the diamond substrate layer from the base substrate, and manufacturing a diamond substrate from the diamond substrate layer.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir un substrat de diamant et un procédé de fabrication, grâce à quoi la fissuration dans le substrat de diamant peut être empêchée en relâchant la contrainte pendant la croissance du cristal, et le rayon de courbure d'une face du cristal à l'intérieur du substrat de diamant peut être réduit à une valeur supérieure à 0 km-1 et inférieure ou égale à 1 500 km-1. La solution selon l’invention consiste à régler le rayon de courbure d'une face interne du cristal d'un substrat de diamant à une valeur supérieure à 0 km-1 et inférieure ou égale à 1 500 km-1 par la préparation d'un substrat de base, la formation d'une pluralité de diamants en colonne comprenant des monocristaux de diamant sur un côté du substrat de base, la croissance d'un monocristal de diamant à partir de l'extrémité distale de chacun des diamants en colonne, la coalescence des monocristaux de diamant mis à croître à partir des extrémités distales des diamants en colonne et la formation d'une couche de substrat de diamant, la séparation de la couche de substrat de diamant du substrat de base, et la fabrication d'un substrat de diamant à partir de la couche de substrat de diamant.
(JA)【課題】結晶成長時に応力を解放することで、ダイヤモンド基板へのクラック発生を防止し、ダイヤモンド基板内部の結晶面の曲率を、0km-1を超えて1500km-1以下に低減可能である、ダイヤモンド基板及び製造方法を提供する。 【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の内部の結晶面の曲率を0km-1を超えて1500km-1以下とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)