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1. (WO2015119045) TRANSISTOR ORGANIQUE, COMPOSÉ, MATÉRIAU SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE NON LUMINESCENT, MATÉRIAU POUR TRANSISTOR ORGANIQUE, SOLUTION D'ENDUCTION POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE NON LUMINESCENT, ET FILM SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE NON LUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/119045    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052604
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 30.01.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.06.2015    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), C07D 493/04 (2006.01), C07D 495/04 (2006.01), C07F 7/08 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : HIRAI Yuki; (JP).
MASUI Kensuke; (JP)
Mandataire : SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-021329 06.02.2014 JP
Titre (EN) ORGANIC TRANSISTOR, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR NON-LUMINESCENT ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, MATERIAL FOR ORGANIC TRANSISTOR, COATING SOLUTION FOR NON-LUMINESCENT ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FOR NON-LUMINESCENT ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE, COMPOSÉ, MATÉRIAU SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE NON LUMINESCENT, MATÉRIAU POUR TRANSISTOR ORGANIQUE, SOLUTION D'ENDUCTION POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE NON LUMINESCENT, ET FILM SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE NON LUMINESCENT
(JA) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液および非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜
Abrégé : front page image
(EN)In order to address the problem of providing an organic transistor that uses a compound exhibiting high solubility in an organic solvent and a carrier mobility that increases when the compound is used in a semiconductor active layer of an organic transistor, the present invention relates to an organic transistor in which a compound expressed in the formula of the present invention is contained in a semiconductor active layer, the compound, an organic semiconductor material for a non-luminescent organic semiconductor device, a material for an organic transistor, a coating solution for a non-luminescent organic semiconductor device, and an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device (X represents O, S, or Se; p and q represent integers of 0-2; R1-R10, Ra, and Rb represent hydrogen, halogen, or -L-R; one of R1-R10, Ra, and Rb represents -L-R; when at least one of R5 and R6 represents -L-R, L is an ethenyl group or an ethynyl group; L represents a specific bivalent linking group; and R represents an alkyl group, a cyano group, a vinyl group, an ethynyl group, an oxyethylene group, an oligooxyethylene group having two or more repetitions (v) of oxyethylene units, a siloxane group, a oligosiloxane group having two of more silicon atoms, or a trialkylsilyl group).
(FR)L'invention aborde le problème de la production d'un transistor organique qui utilise un composé présentant une solubilité élevée dans un solvant organique et une mobilité des porteurs de charge qui augmente lorsque le composé est utilisé dans une couche active semiconductrice d'un transistor organique. La présente invention réalise à cet effet un transistor organique dans lequel un composé exprimé dans la formule de la présente invention est contenu dans une couche active semiconductrice, le composé, un matériau semiconducteur organique pour un dispositif semiconducteur organique non luminescent, un matériau pour un transistor organique, une solution d'enduction pour un dispositif semiconducteur organique non luminescent, et un film semiconducteur organique pour un dispositif semiconducteur organique non luminescent (X représente O, S, ou Se ; p et q représentent des nombres entiers de 0 à 2 ; R1-R10, Ra et Rb représentent l'hydrogène, un halogène ou -L-R ; l'un parmi R1-R10, Ra et Rb représentent -L-R ; lorsqu'au moins un parmi R5 et R6 représente -L-R, L est un groupe éthényle ou un groupe éthynyle ; L représente un groupe de liaison bivalent spécifique ; et R représente un groupe alkyle, un groupe cyano, un groupe vinyle, un groupe éthynyle, un groupe oxyéthylène, un groupe oligooxyéthylène ayant deux répétitions (v) ou plus d'unités oxyéthylène, un groupe siloxane, un groupe oligosiloxane ayant deux atomes de silicium ou plus, ou un groupe trialkylsilyle).
(JA)本発明は、有機トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物を用いた有機トランジスタを提供することを課題とする。本発明は、下記式で表される化合物を半導体活性層に含む有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液及び非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。(XはO、S又はSe;p及びqは0~2の整数;R~R10、R及びRは水素、ハロゲン又は-L-R;R~R10、R及びRの一つは-L-R;RとRの少なくとも一方が-L-Rである場合Lはエテニル基又はエチニル基;Lは特定の2価の連結基;Rはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基或いはトリアルキルシリル基を表す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)