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1. (WO2015118898) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ D'UTILISATION DE CELUI-CI, CAPTEUR OPTIQUE ET ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/118898    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/050331
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 08.01.2015
CIB :
H01L 31/10 (2006.01), C08G 61/12 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 51/46 (2006.01), H04N 9/07 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : SUGIURA Hiroki; (JP).
NOMURA Kimiatsu; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-022489 07.02.2014 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR USING SAME, OPTICAL SENSOR, AND IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ D'UTILISATION DE CELUI-CI, CAPTEUR OPTIQUE ET ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 光電変換素子およびその使用方法、光センサ、並びに、撮像素子
Abrégé : front page image
(EN) The purpose of the present invention is to provide a photoelectric conversion element in which a degradation in characteristics due to being left out in air is minimized, a method for using the photoelectric conversion element, an optical sensor, and an imaging element. This photoelectric conversion element is provided, in the stated order, with an electroconductive film, an organic photoelectric conversion film containing an n-type semiconductor (A) and a p-type semiconductor (B), and a transparent electroconductive film. The n-type semiconductor (A) has constituent units represented by formula (I) and the p-type semiconductor (B) has donor-acceptor constituent units.
(FR) La présente invention a pour objet de produire un élément de conversion photoélectrique dans lequel une dégradation des caractéristiques en raison d'une exposition prolongée à l'air est minimisée, un procédé d'utilisation de l'élément de conversion photoélectrique, un capteur optique et un élément de capture d'image. L'élément de conversion photoélectrique selon l'invention comprend, dans l'ordre indiqué, un film électroconducteur, un film de conversion photoélectrique organique contenant un semiconducteur de type N (A) et un semiconducteur de type P (B), et un film électroconducteur transparent. Le semiconducteur de type N (A) possède des unités constitutives représentées par la formule (I) et le semiconducteur de type P (B) possède des unités constitutives de type donneur-accepteur.
(JA) 本発明は、大気放置による特性の低下が抑制された光電変換素子およびその使用方法、光センサ、並びに、撮像素子を提供することを目的とする。本発明の光電変換素子は、導電性膜と、n型半導体(A)およびp型半導体(B)を含有する有機光電変換膜と、透明導電性膜とをこの順に備え、上記n型半導体(A)が、下記式(I)で表される構成単位を有し、上記p型半導体(B)が、ドナー-アクセプター構成単位を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)