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1. (WO2015118790) LIANT, PROCÉDÉ DE LIAISON ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR POUR ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/118790 N° de la demande internationale : PCT/JP2014/084497
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 26.12.2014
CIB :
B23K 35/30 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,C22C 5/06 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : YAMAZAKI Koji; JP
Mandataire : OIWA Masuo; JP
Données relatives à la priorité :
2014-02294810.02.2014JP
Titre (EN) BONDING MATERIAL, BONDING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ELECTRIC POWER
(FR) LIANT, PROCÉDÉ DE LIAISON ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR POUR ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
(JA) 接合材、接合方法、および電力用半導体装置
Abrégé : front page image
(EN) The purpose of the present invention is to achieve bonding that has a good balance between heat resistance and stress relaxation. A plate-like bonding material (1) that is configured of an alloy of bismuth and silver and is bonded with objects to be bonded, which are metal members (members formed from a material such as gold, silver or copper), by forming diffusion layers (Ld2, Ld3) of silver in the metal members by means of a solid-phase diffusion reaction by being heated, while being kept in contact with the metal members (for example, with the surface layers (2f, 3f)). This bonding material (1) is configured so as to contain from 1% by mass to 5% by mass (inclusive) of bismuth.
(FR) L'objet de la présente invention est d'obtenir une liaison qui présente un bon équilibre entre la résistance à la chaleur et la relaxation en contrainte. Un liant similaire à une plaque (1) qui est composé d'un alliage de bismuth et d'argent et est lié avec des objets à lier, qui sont des éléments métalliques (éléments fabriqués dans un matériau tel que l'or, l'argent ou le cuivre), en formant des couches de (Ld2, Ld3) d'argent dans les éléments métalliques au moyen d'une réaction de diffusion en phase solide en étant chauffé, tout en étant maintenu en contact avec les éléments métalliques (par exemple avec les couches de surface (2f, 3f)). Ledit liant (1) est configuré de façon à contenir de 1 % en masse à 5 % en masse (inclus) de bismuth.
(JA) 本発明は、耐熱性と応力緩和性を両立させた接合を得ることを目的とし、接合対象である金属部材(例えば、表面層(2f)、(3f))に接触させた状態で加熱することにより、金属部材(例えば、材料として金、銀、銅)の中に固相拡散反応による銀の拡散層(Ld2)、(Ld3)を形成し、金属部材と接合される、ビスマスと銀の合金で構成された板状の接合材(1)であって、ビスマスを1質量%以上、5質量%以下含有する構成とした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)