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1. (WO2015118769) COMPOSITION DE RÉSINE ACTIVE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, FILM ACTIF SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, ÉBAUCHE DE MASQUE COMPRENANT LE FILM ACTIF SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, MASQUE PHOTO, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/118769    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/082435
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 08.12.2014
CIB :
G03F 7/004 (2006.01), C07C 41/01 (2006.01), C07C 43/178 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : YOKOKAWA Natsumi; (JP).
MOCHIZUKI Hidehiro; (JP).
TAKAHASHI Koutarou; (JP).
YAMAGUCHI Shuhei; (JP)
Mandataire : ODAHARA Shuichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-020781 05.02.2014 JP
Titre (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM, MASK BLANK PROVIDED WITH ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE FILM, PHOTOMASK, PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING COMPOUND
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE ACTIVE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, FILM ACTIF SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, ÉBAUCHE DE MASQUE COMPRENANT LE FILM ACTIF SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, MASQUE PHOTO, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSÉ
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、化合物、及び、化合物の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which is capable of suppressing line width variation of a pattern dependent on the PEB temperature during the formation of an ultrafine pattern (for example, one having a line width of 50 nm or less), and which has excellent storage stability; and the like. This composition contains an alkali-soluble resin and a crosslinking agent that is represented by general formula (I). (In the formula, each of R1 and R6 independently represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 5 or less carbon atoms; each of R2 and R5 independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an acyl group; and each of R3 and R4 independently represents a hydrogen atom or an organic group having 2 or more carbon atoms. In this connection, R3 and R4 may combine together to form a ring.)
(FR)L'invention concerne une composition de résine active sensible à la lumière ou sensible aux rayonnements qui permet de supprimer la variation de largeur de ligne d'un motif en fonction de la température d'une PEB pendant la formation d'un motif ultrafin (par exemple, un motif possédant une largeur de ligne de 50 nm ou moins), et qui possède une excellente stabilité lors du stockage, et nalogue. Cette composition contient une résine soluble dans l'acali et un agent de réticulation correspondant à la formule générale (I). Dans la formule: chacun de R1 et de R6 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarbure comportant 5 atomes de carbone ou moins; chacun de R2 et de R5 représente indépendamment un groupe alkyle, un groupe cycloalkyle, un groupe aryle ou un groupe acyle; et chacun de R3 et de R4 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe organique comprenant 2 atomes de carbone ou plus. A cet égard, R3 et R4 peuvent se combiner pour former un anneau.
(JA)超微細パターン(例えば、線幅50nm以下)の形成において、PEB温度に依存したパターンの線幅変動を抑制することができ、且つ、保存安定性にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物などを提供する。この組成物は、アルカリ可溶性樹脂、及び、架橋剤を含み、前記架橋剤が下記一般式(I)で表される。(式中、R及びRは、各々独立に、水素原子、又は炭素数5以下の炭化水素基を表す。R及びRは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアシル基を表す。R及びRは、各々独立に、水素原子、又は炭素数2以上の有機基を表す。R及びRは、互いに結合して環を形成してもよい。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)