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1. (WO2015118714) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2015/118714    International Application No.:    PCT/JP2014/073676
Publication Date: Fri Aug 14 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Tue Sep 09 01:59:59 CEST 2014
IPC: H01L 27/04
H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
KIMURA Keisuke
木村 圭佑
KAMEYAMA Satoru
亀山 悟
Inventors: KIMURA Keisuke
木村 圭佑
KAMEYAMA Satoru
亀山 悟
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : une région de transistor IGBT principale dans laquelle un transistor IGBT est formé ; une région de diode principale dans laquelle une diode est formée ; une région de transistor IGBT de détection dans laquelle un transistor IGBT est formé ; et une région de diode de détection dans laquelle une diode est formée. L'espacement entre une région de corps et une région d'anode est plus longue que le produit mobilité-durée de vie de la région de type n agencée entre celles-ci. L'espacement entre la région d'anode et une région de collecteur est plus long que le produit mobilité-durée de vie de la région de type n agencée entre celles-ci. L'espacement entre une borne de la région de collecteur et la région de corps est plus longue que le produit mobilité-durée de vie de la région de type n agencée entre celles-ci.