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1. (WO2015118710) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE

Pub. No.:    WO/2015/118710    International Application No.:    PCT/JP2014/072806
Publication Date: Fri Aug 14 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Sat Aug 30 01:59:59 CEST 2014
IPC: H01L 21/336
H01L 21/28
H01L 21/314
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 27/14
H01L 29/417
H01L 29/423
H01L 29/49
H01L 29/786
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
株式会社 東芝
Inventors: NAKANO, Shintaro
中野 慎太郎
SAITO, Nobuyoshi
斉藤 信美
MIURA, Kentaro
三浦 健太郎
MAEDA, Yuya
前田 雄也
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Abstract:
Un dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention est pourvu d'un substrat et d'un transistor à couches minces situé sur le substrat. Le transistor à couches minces comprend: une couche semi-conductrice en oxynitrure comportant une première partie, une deuxième partie espacée de la première partie, et une troisième partie située entre la première partie et la deuxième partie; une première couche électriquement conductrice connectée électriquement à la première partie; une deuxième couche électriquement conductrice connectée électriquement à la deuxième partie; une électrode de grille espacée de la troisième partie; et une première couche d'isolation située entre la troisième partie et l'électrode de grille. La couche semi-conductrice en oxynitrure comprend de l'indium, du gallium, du zinc et de l'azote. La teneur en azote est de 2% atomique ou moins, et la teneur en gallium est supérieure à la teneur en azote.