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1. (WO2015118419) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À SUBSTRAT STRUCTURÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/118419    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/050323
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 16.01.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : LOPEZ, Toni; (NL)
Mandataire : RÜBER, Bernhard, Jakob; (DE)
Données relatives à la priorité :
61/936,362 06.02.2014 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH STRUCTURED SUBSTRATE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À SUBSTRAT STRUCTURÉ
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention include a semiconductor light emitting device. The device includes a substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface. The device further includes a semiconductor structure disposed on the first surface of the substrate. A cavity is disposed within the substrate. The cavity extends from the second surface of the substrate. The cavity has a sloped side wall.
(FR)L'invention concerne, dans des modes de réalisation, un dispositif électroluminescent semi-conducteur. Le dispositif comporte un substrat possédant une première surface et une seconde surface opposée à la première surface. Le dispositif comporte en outre une structure semi-conductrice disposée sur la première surface du substrat. Une cavité est disposée dans le substrat. La cavité s'étend à partir de la seconde surface du substrat. La cavité a une paroi latérale en pente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)