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1. (WO2015118177) DISPOSITIF À RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/118177 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/052788
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 10.02.2015
CIB :
H01J 35/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
35
Tubes à rayons X
02
Détails
04
Electrodes
06
Cathodes
Déposants :
LUXBRIGHT AB [SE/SE]; Erik Dahlbergsgatan 11A S-411 26 Göteborg, SE
Inventeurs :
HU, Qui-Hong; SE
Mandataire :
ZACCO SWEDEN AB; P.O. Box 5581 S-114 85 Stockholm, SE
Données relatives à la priorité :
61/937,67710.02.2014US
Titre (EN) AN X-RAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À RAYONS X
Abrégé :
(EN) Example embodiments presented herein are directed towards an x-ray generating device. The device comprises at least one electron emitter (s) (22, 22_1, 22_2, 22_3) which has an electrically conductive substrate (23). The electrically conductive substrate comprises a coating of nanostructures (24). The device further comprises a heating element(21)attachable to each electrically conductive substrate. The device further comprises an electron receiving component (14) configured to receiving electrons emitted from the at least one electron emitter (s). The device also comprises an evacuated enclosure (10) configured to house the at least one electron emitter(s), the heating element and the electron receiving component. The at least one electron emitter (s) is configured for Schottky emission when the heating element is in an on-state and the at least one electron emitter (s) is negatively biased.
(FR) L'invention a, dans des modes de réalisation donnés à titre d'exemple, pour objet un dispositif de génération de rayons X. Le dispositif comprend au moins un émetteur d'électrons (22, 22_1, 22_2, 22_3) comprenant un substrat électroconducteur (23). Le substrat électroconducteur comprend un revêtement de nanostructures (24). Le dispositif comprend en outre un élément chauffant (21) qui peut être fixé à chaque substrat électroconducteur. Le dispositif comprend en outre un composant de réception d'électrons (14) configuré pour recevoir des électrons émis depuis le ou les émetteurs d'électrons. Le dispositif comprend également une enceinte sous vide (10) configurée pour recevoir le ou les émetteurs d'électrons, l'élément chauffant et le composant de réception d'électrons. Le ou les émetteurs d'électrons sont configurés pour permettre une émission Schottky lorsque l'élément chauffant est dans un état passant et que le ou les émetteurs d'électrons sont polarisés négativement.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)