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1. (WO2015117941) PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DANS UN DISPOSITIF MULTIBIT TAS-MRAM CONFIGURÉ POUR UNE OPÉRATION DE LECTURE AUTO-RÉFÉRENCÉE AVEC UNE REPRODUCTIBILITÉ AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/117941    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/052161
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 03.02.2015
CIB :
G11C 11/16 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : CROCUS TECHNOLOGY SA [FR/FR]; 5, place Robert Schuman F-38025 Grenoble Cedex (FR)
Inventeurs : STAINER, Quentin; (FR)
Mandataire : P&TS SA; Av. J-J. Rousseau 4 CH-2000 Neuchâtel (CH)
Données relatives à la priorité :
14290031.5 06.02.2014 EP
Titre (EN) METHOD FOR WRITING TO A MULTIBIT TAS-MRAM DEVICE CONFIGURED FOR SELF-REFERENCED READ OPERATION WITH IMPROVED REPRODUCIBLY
(FR) PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DANS UN DISPOSITIF MULTIBIT TAS-MRAM CONFIGURÉ POUR UNE OPÉRATION DE LECTURE AUTO-RÉFÉRENCÉE AVEC UNE REPRODUCTIBILITÉ AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure concerns a method for writing a MRAM device, comprising magnetic tunnel junction (2) with a storage layer (23), a sense layer (21), and a spacer layer (22) between the storage and sense layers (23, 21); at least one of the storage and sense layers(23, 21) having a magnetic anisotropy axis (200); the method comprising an initialization step including: applying an initial heating current pulse(31') for heating the magnetic tunnel junction (2) to a temperature above a threshold temperature at which a storage magnetization is freely orientable, providing an initial resultant magnetic field (60') for adjusting the storage magnetization (230)in an initial direction oriented along the magnetic anisotropy axis (200). The method allows performing the writing step with improved reproducibly.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour écrire dans un dispositif MRAM, comprenant une jonction tunnel magnétique (2) avec une couche de mémorisation (23), une couche de détection (21), et une couche d'espacement (22) entre les couches de mémorisation et de détection (23, 21) ; au moins l'une des couches de mémorisation et de détection (23, 21) ayant un axe d'anisotropie magnétique (200) ; le procédé comprenant une étape d'initialisation comprenant : l'application d'une impulsion de courant de chauffage initiale (31') pour chauffer la jonction tunnel magnétique (2) à une température au-dessus d'une température de seuil à laquelle une magnétisation de mémorisation peut être orientée librement, la fourniture d'un champ magnétique résultant initial (60') pour ajuster la magnétisation de mémorisation (230) dans une direction initiale orientée le long de l'axe d'anisotropie magnétique (200). Le procédé permet d'effectuer l'étape d'écriture avec une reproductibilité améliorée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)