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1. (WO2015117800) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AYANT DES CONTACTS EN SAILLIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/117800    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/050592
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 14.01.2015
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 A-8141 Unterpremstätten (AT)
Inventeurs : KRAFT, Jochen; (AT).
ROHRACHER, Karl; (AT).
SCHREMS, Martin; (AT)
Mandataire : ASSOCIATION NO. 175; EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
14154132.6 06.02.2014 EP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROTRUDING CONTACTS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AYANT DES CONTACTS EN SAILLIE
Abrégé : front page image
(EN)A wiring (3) comprising electrical conductors (4, 5, 6, 7) is formed in a dielectric layer (2) on or above a semiconductor substrate (1), an opening is formed in the dielectric layer to uncover a contact pad (8), which is formed by one of the conductors, and a further opening is formed in the dielectric layer to uncover an area of a further conductor (5), separate from the contact pad. The further opening is filled with an electrically conductive material (9), and the dielectric layer is thinned from a side opposite the substrate, so that the electrically conductive material protrudes from the dielectric layer.
(FR)Selon l'invention, un câblage (3), comportant des conducteurs électriques (4, 5, 6, 7), est formé dans une couche diélectrique (2) sur ou au-dessus d'un substrat à semi-conducteurs (1), une ouverture est formée dans la couche diélectrique pour découvrir une plage de contact (8), qui est formée par l'un des conducteurs, et une autre ouverture est formée dans la couche diélectrique pour découvrir une zone d'un autre conducteur (5), séparée de la plage de contact. L'autre ouverture est remplie avec une matière conductrice de l'électricité (9), et la couche diélectrique est amincie depuis un côté opposé au substrat, de telle sorte que la matière conductrice de l'électricité fait saillie sur la couche diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)