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1. (WO2015117392) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR AMÉLIORER LA FIABILITÉ D'UN CIRCUIT NUMÉRIQUE DE CORRECTION DU FACTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/117392    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/089097
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 21.10.2014
CIB :
H02H 3/20 (2006.01)
Déposants : ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventeurs : WANG, Jingsi; (CN).
YANG, Yundong; (CN).
WANG, Mingjin; (CN).
WANG, Hong; (CN).
GAO, Yanghuai; (CN).
CHENG, Zhirong; (CN)
Mandataire : AFD CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAW OFFICE; Suite B 1601A, 8 Xue Qing Rd., Haidian, Beijing 100192 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410407939.X 19.08.2014 CN
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR IMPROVING DIGITAL PFC CIRCUIT RELIABILITY
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR AMÉLIORER LA FIABILITÉ D'UN CIRCUIT NUMÉRIQUE DE CORRECTION DU FACTEUR DE PUISSANCE
(ZH) 提高数字PFC电路可靠性的方法及装置
Abrégé : front page image
(EN)A method and device for improving digital PFC circuit reliability. The method comprises a bus overvoltage protection policy, an inductive overcurrent protection policy, and a reducing inductive current policy. The bus overvoltage protection policy utilises secondary protection means, the inductive overcurrent protection policy utilises pulse-by-pulse current limiting protection, and the reducing inductive current policy reduces a pulse-by-pulse current limiting point when utilising pulse-by-pulse, and clears a loop intermediate variable when an inductive current reference is greater than a certain value. The present method reduces electrical stress of a device when performing input output dynamic switching.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif pour améliorer la fiabilité d'un circuit numérique de correction du facteur de puissance. Le procédé comprend une politique de protection contre les surtensions de bus, une politique de protection contre les surintensités inductives et une politique de réduction du courant inductif. La politique de protection contre les surtensions de bus utilise des moyens de protection secondaires, la politique de protection contre les surintensités inductives utilise une protection de limitation du courant impulsion par impulsion et la politique de réduction du courant inductif réduit un point de limitation du courant impulsion par impulsion lors de l'utilisation de l'impulsion par impulsion, et annule une variable intermédiaire de boucle lorsqu'une référence de courant inductif est supérieure à une valeur donnée. Le présent procédé réduit les contraintes électriques d'un dispositif lors de l'exécution d'une commutation dynamique d'entrée-sortie.
(ZH)一种提高数字PFC电路可靠性的方法及装置,该方法包括总线过压保护策略、电感过流保护策略和降低电感电流策略,其中,总线过压保护策略采用二级保护方式,电感过流保护策略采用逐波限流保护,降低电感电流策略采用逐波时降低逐波限流点、电感电流参考大于某特定值时清零环路中间变量,该方法能够降低输入输出动态切换时器件的电应力。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)