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1. (WO2015117222) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE AYANT UN CONDENSATEUR MANUFACTURABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/117222    N° de la demande internationale :    PCT/CA2015/000055
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
H01L 27/108 (2006.01), G11C 11/34 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01)
Déposants : CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC. [CA/CA]; 390 March Road Suite 100 Ottawa, Ontario K2K 0G7 (CA)
Inventeurs : RHIE, Hyoung Seub; (CA)
Mandataire : HAMMOND, Daniel; (CA)
Données relatives à la priorité :
61/936,004 05.02.2014 US
Titre (EN) A DRAM MEMORY DEVICE WITH MANUFACTURABLE CAPACITOR
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE AYANT UN CONDENSATEUR MANUFACTURABLE
Abrégé : front page image
(EN)A high capacitance embedded capacitor and associated fabrication processes are disclosed for fabricating a capacitor stack in a multi-layer stack to include a first capacitor plate conductor formed with a cylinder-shaped storage node electrode formed in the multi-layer stack, a capacitor dielectric layer surrounding the cylinder-shaped storage node electrode, and a second capacitor plate conductor formed from a conductive layer in the multi-layer stack that is sandwiched between a bottom and top dielectric layer, where the cylinder-shaped storage node electrode is surrounded by and extends through the conductive layer.
(FR)L'invention porte sur un condensateur intégré à haute capacité et sur des procédés de fabrication associés permettant de fabriquer un empilement de condensateurs selon un empilement multicouche de manière à comprendre un premier conducteur de plaque de condensateur formé avec une électrode de nœud de stockage en forme de cylindre formée dans l'empilement multicouche, une couche diélectrique de condensateur entourant l'électrode de nœud de stockage en forme de cylindre, et un second conducteur de plaque de condensateur formé à partir d'une couche conductrice dans l'empilement multicouche qui est prise en sandwich entre une couche diélectrique inférieure et une couche diélectrique supérieure, l'électrode de nœud de stockage en forme de cylindre étant entourée par la couche conductrice et s'étendant à travers cette dernière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)