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1. (WO2015117150) INTÉGRATION D'UNE COUCHE BARRIÈRE ALD ET D'UN REVÊTEMENT RU CVD POUR REMPLISSAGE CU SANS VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/117150 N° de la demande internationale : PCT/US2015/014309
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 03.02.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs : YU, Kai-Hung; US
HASEGAWA, Toshio; US
ISHIZAKA, Tadahiro; JP
OIE, Manabu; US
AMANO, Fumitaka; US
CONSIGLIO, Steven; US
WAJDA, Cory; US
MAEKAWA, Kaoru; US
LEUSINK, Gert J.; US
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; US
Données relatives à la priorité :
61/935,07503.02.2014US
Titre (EN) INTEGRATION OF ALD BARRIER LAYER AND CVD Ru LINER FOR VOID-FREE Cu FILLING
(FR) INTÉGRATION D'UNE COUCHE BARRIÈRE ALD ET D'UN REVÊTEMENT RU CVD POUR REMPLISSAGE CU SANS VIDE
Abrégé :
(EN) Methods for integration of atomic layer deposition (ALD) of barrier layers and chemical vapor deposition (CVD) of Ru liners for Cu filling of narrow recessed features for semiconductor devices are disclosed in several embodiments. According to one embodiment, the method includes providing a substrate containing a recessed feature, depositing a conformal barrier layer by ALD in the recessed feature, where the barrier layer contains TaN or TaAlN, depositing a conformal Ru liner by CVD on the barrier layer, and filling the recessed feature with Cu metal.
(FR) Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne des procédés d'intégration d'un dépôt de couche atomique (ALD) de couches barrières et d'un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de revêtements Ru pour remplissage Cu de parties étroites en renfoncement pour des dispositifs à semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à utiliser un substrat contenant une partie en renfoncement, à déposer une couche barrière conforme par ALD dans la partie en renfoncement, la couche barrière contenant TaN ou TaAlN, à déposer un revêtement Ru conforme par CVD sur la couche barrière, et à remplir la partie en renfoncement de métal Cu.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)