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1. (WO2015116924) MODULE DE PUISSANCE DE DISPOSITIF DE PUISSANCE À LARGE BANDE INTERDITE, EN PARALLÈLE, À PARTAGE DE COURANT, HAUTEMENT CONFIGURABLE ET EXTRA-PLAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/116924    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/013755
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 30.01.2015
CIB :
H01L 23/34 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01)
Déposants : CREE FAYETTEVILLE, INC. [US/US]; 535 W. Research Center Blvd. Suite 209 Fayetteville, Arkansas 72701 (US)
Inventeurs : MCPHERSON, Brice; (US).
KILLEEN, Peter; (US).
LOSTETTER, Alex; (US).
SHAW, Robert; (US).
PASSMORE, Brandon; (US).
HORNBERGER, Jared; (US).
BERRY, Tony; (US)
Mandataire : HILTEN, John S.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/933,535 30.01.2014 US
Titre (EN) LOW PROFILE, HIGHLY CONFIGURABLE, CURRENT SHARING PARALLELED WIDE BAND GAP POWER DEVICE POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE DE DISPOSITIF DE PUISSANCE À LARGE BANDE INTERDITE, EN PARALLÈLE, À PARTAGE DE COURANT, HAUTEMENT CONFIGURABLE ET EXTRA-PLAT
Abrégé : front page image
(EN)A power module (100) with multiple equalized parallel power paths supporting multiple parallel bare die power devices (500) constructed with low inductance equalized current paths for even current sharing and clean switching events. Wide low profile power contacts (400) provide low inductance, short current paths, and large conductor cross section area provides for massive current carrying. An internal gate & source kelvin interconnection substrate (600) is provided with individual ballast resistors and simple bolted construction. Gate drive connectors (700) are provided on either left or right size of the module. The module is configurable as half bridge, full bridge, common source, and common drain topologies.
(FR)L'invention concerne un module de puissance (100) comportant de multiples schémas de puissance parallèles égalisés qui prennent en charge de multiples dispositifs de puissance de puce nue parallèles (500) construits avec des trajets de courant égalisés de faible inductance même pour des événements de commutation propre et de partage de courant. De larges contacts de puissance extra-plats (400) donnent de courts trajets de courant de faible inductance et une grande aire de section transversale de conducteur permet un transport de courant massif. Un substrat d'interconnexion de type Kelvin de source et de grille interne (600) comprend des résistances ballast et présente une construction boulonnée simple. Des connecteurs d'attaque de grille (700) sont agencés sur l'un ou l'autre côté gauche ou droit du module. Le module est configurable sous la forme de topologies en demi-pont, en pont complet, en source commune et en drain commun.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)