Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2015116831) CONDENSATEUR MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL (MIM) DANS UNE COUCHE DE REDISTRIBUTION (RDL) D'UN DISPOSITIF INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/116831 N° de la demande internationale : PCT/US2015/013547
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 29.01.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 20.11.2015
CIB :
H01L 23/538 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538
la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
GU, Shiqun; US
LANE, Ryan, David; US
RASKIN, Glenn, David; US
PANDEY, Shree, Krishna; US
Mandataire :
THAVONEKHAM, S., Sean; US
LOZA, Julio; Loza & Loza LLP 305 North Second Avenue, #127 Upland, CA 91786, US
Données relatives à la priorité :
14/181,52214.02.2014US
61/934,61331.01.2014US
Titre (EN) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR IN REDISTRIBUTION LAYER (RDL) OF AN INTEGRATED DEVICE
(FR) CONDENSATEUR MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL (MIM) DANS UNE COUCHE DE REDISTRIBUTION (RDL) D'UN DISPOSITIF INTÉGRÉ
Abrégé :
(EN) Some features pertain to an integrated device that includes a substrate, several metal layers coupled to the substrate, several dielectric layers coupled to the substrate, and a redistribution portion coupled to one of the metal layers. The redistribution portion includes a first metal redistribution layer, an insulation layer coupled to the first metal redistribution layer, and a second metal redistribution layer coupled to the insulation layer. The first metal redistribution layer, the insulation layer, and the second metal redistribution layer are configured to operate as a capacitor in the integrated device. In some implementations, the capacitor is a metal-insulator-metal (MIM) capacitor.
(FR) L'invention se rapporte à un dispositif intégré qui comprend un substrat, plusieurs couches métalliques couplée au substrat, plusieurs couches diélectriques couplées au substrat et une partie de redistribution couplée à l'une des couches métalliques. La partie de redistribution comprend une première couche de redistribution métallique, une couche isolante couplée à la première couche de redistribution métallique, et une seconde couche de redistribution métallique couplée à la couche isolante. La première couche de redistribution métallique, la couche isolante et la seconde couche de redistribution métallique sont configurées pour fonctionner comme un condensateur dans le dispositif intégré. Selon certains modes de réalisation, le condensateur est un condensateur métal-isolant-métal (MIM).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)