WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015116532) PROCÉDÉ DE DOUBLE FORMATION DE MOTIF AUTO-ALIGNÉE SANS DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/116532    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012896
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 26.01.2015
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : DEVILLIERS, Anton, J.; (US)
Mandataire : MATHER, Joshua, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/932,487 28.01.2014 US
Titre (EN) METHOD FOR SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING WITHOUT ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE DOUBLE FORMATION DE MOTIF AUTO-ALIGNÉE SANS DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for self-aligned double patterning without needing atomic layer deposition techniques is disclosed. Techniques include using a staircase etch technique to preferentially shrink one material without shrinking an underlying material, followed by a resist-based chemical polishing and planarization technique that yields a narrowed and protruding feature (single-layer thickness) that is sufficiently physically supported, and that can be transferred to one or more underlying layers. After removing a resist coating, the result is a pattern that has been doubled without using ALD techniques. Such techniques improve efficiencies over conventional techniques for self-aligned double patterning.
(FR)La présente invention concerne un procédé de double formation de motif auto-alignée ne nécessitant pas de faire appel à des techniques de dépôt de couche atomique. Des techniques font appel à l'utilisation d'une technique de gravure en escalier pour assurer un retrait préférentiel d'un matériau sans retrait d'un matériau sous-jacent, puis à une technique de polissage et de planarisation chimique à base de réserve qui donne une caractéristique rétrécie et en saillie (épaisseur monocouche) qui est suffisamment supportée physiquement, et qui peut être transférée vers une ou plusieurs couches sous-jacentes. Après le retrait d'un revêtement de réserve, le résultat est un motif qui a été doublé sans faire appel à des techniques d'ALD. Ces techniques améliorent l'efficacité par rapport à des techniques classiques de double formation de motif auto-alignée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)