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1. (WO2015116414) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE (MRAM) À EFFET HALL DE SPIN GÉANT (GSHE) - COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STT) À FAIBLE PUISSANCE À HAUTE DENSITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/116414 N° de la demande internationale : PCT/US2015/011895
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 19.01.2015
CIB :
G11C 11/18 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
18
utilisant des dispositifs à effet Hall
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : WU, Wenqing; US
MADALA, Raghu Sagar; US
YUEN, Kendrick Hoy Leong; US
ARABI, Karim; US
Mandataire : CICCOZZI, John L.; US
Données relatives à la priorité :
14/451,51005.08.2014US
14/479,83208.09.2014US
61/932,76728.01.2014US
Titre (EN) HIGH DENSITY LOW POWER GSHE-STT MRAM
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE (MRAM) À EFFET HALL DE SPIN GÉANT (GSHE) - COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STT) À FAIBLE PUISSANCE À HAUTE DENSITÉ
Abrégé :
(EN) Systems and methods are directed to a memory element comprising a hybrid giant spin Hall effect (GSHE)-spin transfer torque (STT) magnetoresistive random access memory (MRAM) element, which includes a GSHE strip formed between a first terminal (A) and a second terminal (B), and a magnetic tunnel junction (MTJ), with a free layer of the MTJ interfacing the GSHE strip, and a fixed layer of the MTJ coupled to a third terminal (C). The orientation of the easy axis of the free layer is perpendicular to the magnetization created by electrons traversing the GSHE strip between the first terminal and the second terminal, such that the free layer of the MTJ is configured to switch based on a first charge current injected from/to the first terminal to/from the second terminal and a second charge current injected/extracted through the third terminal into/out of the MTJ via the third terminal (C).
(FR) L'invention porte sur des systèmes et des procédés qui concernent un élément de mémoire comprenant un élément de mémoire vive magnétique (MRAM) à effet Hall de spin géant (GSHE) - couple de transfert de spin (STT) hybride, qui comprend une bande GSHE formée entre une première borne (A) et une seconde borne (B), et une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ), une couche libre de la MTJ faisant l'interface avec la bande GSHE, et une couche fixe de la MTJ étant couplée à une troisième borne (C). L'orientation de l'axe facile de la couche libre est perpendiculaire à l'aimantation créée par des électrons traversant la bande GSHE entre la première borne et la seconde borne, de telle sorte que la couche libre de la MTJ est configurée pour commuter sur la base d'un premier courant de charge injecté par/vers la première borne vers/par la seconde borne et d'un second courant de charge injecté/extrait par la troisième borne dans/hors de la MTJ par l'intermédiaire de la troisième borne (C).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)