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1. (WO2015116377) FORMATION DE MASQUE SOLUBLE DANS L'EAU PAR STRATIFICATION SOUS VIDE DE FILM SEC POUR UN DÉCOUPAGE AU LASER ET AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/116377    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/011241
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 13.01.2015
CIB :
H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : LEI, Wei-Sheng; (US).
PAPANU, James S.; (US).
KUMAR, Prabhat; (US).
EATON, Brad; (US).
KUMAR, Ajay; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/167,548 29.01.2014 US
Titre (EN) WATER SOLUBLE MASK FORMATION BY DRY FILM VACUUM LAMINATION FOR LASER AND PLASMA DICING
(FR) FORMATION DE MASQUE SOLUBLE DANS L'EAU PAR STRATIFICATION SOUS VIDE DE FILM SEC POUR UN DÉCOUPAGE AU LASER ET AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for dicing a semiconductor wafer including a plurality of integrated circuits (ICs) are described. In one embodiment, a method involves adhering an adhesive tape to a thin water soluble dry film. The method involves applying the thin water soluble dry film adhered to the adhesive tape over a surface of the semiconductor wafer. The method involves removing the adhesive tape from the thin water soluble dry film. The thin water soluble dry film is patterned with a laser scribing process, exposing regions of the semiconductor wafer between the ICs. The method involves etching the semiconductor wafer through gaps in the patterned thin water soluble dry film, and removing the thin water soluble dry film.
(FR)L'invention concerne des procédés et des systèmes permettant de découper une tranche de semi-conducteur comportant une pluralité de circuits intégrés (CI). Selon un mode de réalisation, un procédé consiste à faire adhérer une bande adhésive à un mince film sec soluble dans l'eau. Le procédé consiste à appliquer le mince film sec soluble dans l'eau collé à la bande adhésive sur une surface de la tranche de semi-conducteur. Le procédé consiste à retirer la bande adhésive du mince film sec soluble dans l'eau. Le mince film sec soluble dans l'eau est décoré d'un motif avec un procédé de traçage par laser, exposant des régions de la tranche de semi-conducteur entre les circuits intégrés. Le procédé consiste à graver la tranche de semi-conducteur à travers des espaces formés dans le mince film sec soluble dans l'eau et décoré d'un motif et à retirer le mince film sec soluble dans l'eau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)