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1. (WO2015116350) AMÉLIORATION DE MODULE DE DURCISSEMENT À BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/116350 N° de la demande internationale : PCT/US2015/010323
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 06.01.2015
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : MANNA, Pramit; US
THADANI, Kiran V.; US
MALLICK, Abhijit Basu; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; US
Données relatives à la priorité :
61/933,15829.01.2014US
Titre (EN) LOW TEMPERATURE CURE MODULUS ENHANCEMENT
(FR) AMÉLIORATION DE MODULE DE DURCISSEMENT À BASSE TEMPÉRATURE
Abrégé :
(EN) Implementations described herein generally relate to methods for dielectric gap-fill. In one implementation, a method of depositing a silicon oxide layer on a substrate is provided. The method comprises introducing a cyclic organic siloxane precursor and an aliphatic organic siloxane precursor into a deposition chamber, reacting the cyclic organic siloxane precursor and the aliphatic organic siloxane precursor with atomic oxygen to form the silicon oxide layer on a substrate positioned in the deposition chamber, wherein the substrate is maintained at a temperature between about 0 °C and about 200 °C as the silicon oxide layer is formed, wherein the silicon oxide layer is initially flowable following deposition, and wherein a ratio of a flow rate of the cyclic organic siloxane precursor to a flow rate of the aliphatic organic siloxane precursor is at least 2:1 and curing the deposited silicon oxide layer.
(FR) La présente invention, selon des modes de réalisation, concerne globalement des procédés de remplissage sans lacune de diélectrique. Un mode de réalisation concerne un procédé de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium sur un substrat. Le procédé consiste à introduire un précurseur de siloxane organique cyclique et un précurseur de siloxane organique aliphatique dans une chambre de dépôt, à faire réagir le précurseur de siloxane organique cyclique et le précurseur de siloxane organique aliphatique avec de l'oxygène atomique pour former la couche d'oxyde de silicium sur un substrat disposé dans la chambre de dépôt, le substrat étant maintenu à une température comprise entre environ 0 °C et environ 200 °C lors de la formation de la couche d'oxyde de silicium, la couche d'oxyde de silicium pouvant initialement s'écouler après le dépôt, et un rapport d'un taux d'écoulement du précurseur de siloxane organique cyclique à un taux d'écoulement du précurseur de siloxane organique aliphatique étant d'au moins 2:1 et à faire durcir la couche d'oxyde de silicium déposée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)