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1. (WO2015116152) ÉLÉMENT DE CIRCUIT DE RÉSISTANCE DIFFÉRENTIELLE NÉGATIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/116152    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/014093
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 31.01.2014
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventeurs : GIBSON, Gary; (US).
JACKSON, Warren; (US).
WILLIAMS, R. Stanley; (US)
Mandataire : COLLINS, David W.; Hewlett Packard Enterprise 3404 E. Harmony Road Mail Stop 79 Fort Collins, CO 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE CIRCUIT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CIRCUIT DE RÉSISTANCE DIFFÉRENTIELLE NÉGATIVE
Abrégé : front page image
(EN)A circuit component that exhibits a region of negative differential resistance includes: a first layer of material; and a second layer of material in contact with the first layer of material, the contact forming a first self-heating interface. The first self-heating interface is structured such that an electrical current flowing from the first layer of material to the second layer of material encounters an electrical impedance occurring at the first interface that is greater than any electrical impedance occurring in the first and second layers of material, wherein heating occurring at the first interface is dominated by Joule heating caused by the electrical impedance occurring at the first interface, and wherein the electrical impedance occurring at the first interface decreases with increasing temperature to induce a region of negative differential resistance.
(FR)L'invention concerne un composant de circuit qui présente une région ayant une résistance différentielle négative, ledit composant comprenant : une première couche d'un matériau; et une seconde couche d'un matériau en contact avec la première couche de matériau, le contact formant une première interface auto-chauffante. La première interface auto-chauffante est structurée de telle sorte qu'un courant électrique qui circule depuis la première couche de matériau vers la seconde couche de matériau, rencontre une impédance électrique qui se produit au niveau de la première interface et qui plus importante qu'une impédance électrique qui se produit dans les première et seconde couches de matériau, un chauffage qui se produit au niveau de la première interface, étant dominé par un chauffage par effet Joule provoqué par l'impédance électrique qui se produit au niveau de la première interface et l'impédance électrique qui se produit au niveau de la première interface, diminuant avec une augmentation de la température pour donner une région ayant une résistance différentielle négative.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)