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1. (WO2015116142) CELLULE DE MÉMOIRE AYANT UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE RÉSISTIF ET UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE CAPACITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/116142    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/014046
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 31.01.2014
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 7/10 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventeurs : BUCHANAN, Brent E.; (US)
Mandataire : JAKOBSEN, Kraig A.; Hewlett Packard Enterprise 3404 E. Harmony Road Mail Stop 79 Fort Collins, CO 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMORY CELL HAVING RESISTIVE AND CAPACITIVE STORAGE ELEMENTS
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE AYANT UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE RÉSISTIF ET UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE CAPACITIF
Abrégé : front page image
(EN)A technique including using an array of memory cells for data storage. A given cell of the memory cells includes a capacitive storage element and a resistive storage element that is coupled in series with the capacitive storage element. The technique includes accessing the given memory cell to write a value to the given memory cell or read a value stored in the memory cell. The accessing includes applying a time varying voltage to the memory cell.
(FR)L'invention concerne une technique consistant à utiliser un réseau de cellules de mémoire pour un stockage de données. Une cellule donnée des cellules de mémoire comprend un élément de stockage capacitif et un élément de stockage résistif qui est couplé en série à l'élément de stockage capacitif. La technique consiste à accéder à la cellule de mémoire donnée pour écrire une valeur dans la cellule de mémoire donnée ou lire une valeur stockée dans la cellule de mémoire. L'accès consiste à appliquer une tension variant dans le temps à la cellule de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)