Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2015115685) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE D'ALUMINIUM-GALLIUM-INDIUM-PHOSPHORE AYANT UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM DE TYPE IRRÉGULIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Pub. No.:    WO/2015/115685    International Application No.:    PCT/KR2014/000848
Publication Date: Fri Aug 07 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Thu Jan 30 00:59:59 CET 2014
IPC: H01L 33/26
H01L 33/22
H01L 33/10
Applicants: AUK CORP.
광전자 주식회사
Inventors: LEE, Hyung Joo
이형주
KIM, Young Jin
김영진
JANG, In Kyu
장인규
Title: DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE D'ALUMINIUM-GALLIUM-INDIUM-PHOSPHORE AYANT UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM DE TYPE IRRÉGULIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract:
La présente invention concerne une diode électroluminescente et son procédé de production et concerne plus précisément la croissance d'une couche de GaN de haute qualité sur une partie supérieure d'une diode électroluminescente à base d'AlGaInP, afin d'améliorer l'efficacité d'extraction de lumière de la diode électroluminescente, la couche de GaN ayant une largeur de bande interdite supérieure et un indice de réfraction inférieur au matériau à base d'AlGaInP. La diode électroluminescente à base d'AlGaInP selon la présente invention est caractérisée par la formation de la couche de GaN sur la surface supérieure et la couche de GaN a de préférence une surface d'un fin motif irrégulier. La couche de GaN peut être amenée à croître dans le même système après la formation de la diode électroluminescente à base d'AlGaInP sans un traitement supplémentaire.