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1. (WO2015115665) STRUCTURE LIÉE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRUCTURE LIÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/115665    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052999
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 03.02.2015
CIB :
H01L 21/52 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01)
Déposants : OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP)
Inventeurs : SUGANUMA Katsuaki; (JP).
NAGAO Shijo; (JP).
OH Chulmin; (JP)
Mandataire : MAEI Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-018163 03.02.2014 JP
Titre (EN) BONDED STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING BONDED STRUCTURE
(FR) STRUCTURE LIÉE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE STRUCTURE LIÉE
(JA) 接合構造体、及び接合構造体の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This bonded structure (100) is provided with a substrate (110), a metal film (120) and a semiconductor element (130). The substrate (110), the metal film (120) and the semiconductor element (130) are sequentially laminated in this order. A metal that constitutes the metal film (120) is diffused by stress migration, and the substrate (110) and the semiconductor element (130) are bonded with each other by means of the metal film (120) interposed therebetween.
(FR)Ladite structure liée (100) présente un substrat (110), un film métallique (120) et un élément semi-conducteur. Le substrat (110), le film métallique (120) et l'élément semi-conducteur (130) sont séquentiellement stratifiés dans cet ordre. Un métal qui constitue le film métallique (120) est diffusé par migration sous contrainte, et le substrat (110) et l'élément semi-conducteur (120) sont liés l'un à l'autresà l'aide du film métallique (120) interposé entre eux.
(JA) 本発明の接合構造体(100)は、基板(110)と、金属膜(120)と、半導体素子(130)とを備える。基板(110)、金属膜(120)、および、半導体素子(130)は、この順番に積層されている。前記金属膜(120)を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散したものであり、前記基板(110)と前記半導体素子(130)とが前記金属膜(120)を介して接合されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)