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1. (WO2015115649) COMPLEXE DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET COMPOSANT DE DISSIPATION THERMIQUE UTILISANT LEDIT COMPLEXE
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N° de publication : WO/2015/115649 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/052880
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
H01L 23/373 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373
Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
Déposants :
デンカ株式会社 DENKA COMPANY LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町二丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338, JP
Inventeurs :
紀 元徳 KINO Motonori; JP
広津留 秀樹 HIROTSURU Hideki; JP
宮川 健志 MIYAKAWA Takeshi; JP
Mandataire :
園田・小林特許業務法人 SONODA & KOBAYASHI INTELLECTUAL PROPERTY LAW; 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 新宿三井ビル34階 34th Floor, Shinjuku Mitsui Building, 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630434, JP
Données relatives à la priorité :
2014-01859203.02.2014JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE COMPLEX, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND HEAT DISSIPATION COMPONENT USING SAME
(FR) COMPLEXE DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET COMPOSANT DE DISSIPATION THERMIQUE UTILISANT LEDIT COMPLEXE
(JA) 炭化珪素質複合体及びその製造方法並びにそれを用いた放熱部品
Abrégé :
(EN) [Problem] To inexpensively provide a heat dissipation component which has heat conductivity, a small specific gravity, a heat expansion coefficient close to that of a ceramic substrate, and warpage to thereby be able to be joined with good adhesiveness to a heat dissipation component or the like. [Solution] A silicon carbide complex being a plate-shaped complex formed by impregnating a porous silicon carbide compact with metal having aluminum as a main component, wherein the amount of warpage per a length of 10 cm of a principal surface of the complex is 250 μm or less, and the amount of warpage of a power module using the plate-shaped complex is 250 μm or less, and a heat dissipation component using the same.
(FR) Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention est de proposer de façon non coûteuse un composant de dissipation thermique qui possède une conductivité thermique, une faible densité relative, un coefficient de diltation thermique proche de celui d'un substrat en céramique, et une capacité de déformation pour ainsi être capable d'être joint, conjointement avec une bonne adhésivité, à un composant de dissipation thermique ou analogues. La solution proposée consiste en un complexe de carbure de silicium qui est un complexe en forme de plaque formé en imprégnant un compact de carbure de silicium poreux avec un métal dont l'aluminium est le composant principal, la quantité de déformation par longueur de 10 cm d'une surface principale du complexe étant 250 μm ou moins, et la quantité de déformation d'un module électrique qui utilise le complexe en forme de plaque étant 250 μm ou moins, et un composant de dissipation thermique qui utilise ledit complexe.
(JA) 【課題】熱伝導性を有すると共に、比重が小さく、且つ熱膨張係数がセラミックス基板に近く、しかも、反りを有していて放熱部品等に密着性良く接合できる放熱部品を安価に提供する。 【解決手段】 多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、複合体の主面の長さ10cmに対しての反り量が250μm以下の反りを有し、上記板状複合体を使用したパワーモジュールの反り量が250μm以下の反りを有する炭化珪素複合体と、それを用いてなる放熱部品。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)