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1. (WO2015115617) APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/115617    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052752
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 30.01.2015
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), H01J 27/08 (2006.01), H01J 27/14 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : OHSAWA, Yuichi; (JP).
UI, Akio; (JP).
ITO, Junichi; (JP).
KAMATA, Chikayoshi; (JP).
YAKABE, Megumi; (JP).
KASHIWADA, Saori; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-017905 31.01.2014 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC DEVICE
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF MAGNÉTIQUE
(JA) デバイス製造装置及び磁気デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for manufacturing a device according to one embodiment of the present invention comprises an ion source and a first structure. The ion source comprises a case, an anode that is provided within the case, a cathode that is provided outside the case, and an opening that is provided at one end of the case so that the anode is exposed to a region between the anode and a substrate holding unit; and the ion source generates an ion beam that is irradiated on a layer to be processed. The first structure is separated from the opening of the ion source and is arranged between the ion source and the substrate holding unit, while having a first through hole where the ion beam passes. The first structure comprises a conductor, and the opening size of the first through hole is not less than the opening size of the opening.
(FR)Un mode de réalisation de la présente invention concerne un appareil de fabrication d'un dispositif comprenant une source d'ions et une première structure. La source d'ions comprend un boîtier, une anode qui est disposée dans le boîtier, une cathode qui est disposée à l'extérieur du boîtier, et une ouverture qui est pratiquée à une extrémité du boîtier de sorte que l'anode soit exposée à une région entre l'anode et une unité de support de substrat ; et la source d'ions génère un faisceau d'ions qui est dirigé sur une couche à traiter. La première structure est séparée de l'ouverture de la source d'ions et disposée entre la source d'ions et l'unité de support de substrat, tout en ayant un premier trou traversant à travers lequel passe le faisceau d'ions. La première structure comprend un conducteur, et la taille d'ouverture du premier trou traversant n'est pas inférieure à la taille d'ouverture de l'ouverture.
(JA) 本実施形態に関わるデバイス製造装置は、イオン源と、第1の構造とを含む。前記イオン源は、筐体と、前記筐体の内部に設けられたアノードと、前記筐体の外部に設けられたカソードと、前記アノードと基板保持部との間の領域に前記アノードが露出するように前記筐体の一端に設けられた開口部とを有し、被加工層に照射されるイオンビームを生成する。前記第1の構造は、前記イオン源の前記開口部から分離されて前記イオン源と前記基板保持部との間に設けられ、前記イオンビームが通過する第1の貫通孔を有する。前記第1の構造は、導電体を含み、前記第1の貫通孔の開口寸法は、前記開口部の開口寸法以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)