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1. (WO2015115510) FILM DE BARRIÈRE CONTRE LES GAZ ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/115510    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052424
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 29.01.2015
CIB :
B32B 9/00 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventeurs : OISHI, Kiyoshi; (JP).
SUZUKI, Issei; (JP)
Mandataire : KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-016357 31.01.2014 JP
Titre (EN) GAS-BARRIER FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FILM DE BARRIÈRE CONTRE LES GAZ ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) ガスバリアー性フィルム及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) The objective of the present invention is to provide a gas-barrier film that maintains gas-barrier performance and has excellent adhesion between an anchor layer and a gas-barrier layer. This gas-barrier film (F) is characterized in that: the anchor layer (2) contains a silicon-containing filler; the gas-barrier layer (3) contains silicon oxycarbide, and the structure of the gas-barrier layer varies continuously in the layer thickness direction; the gas-barrier layer has a profile containing specified elements; and the difference (Ca-Cb) between the average value (Ca) of the ratio of the number of carbon atoms to the total number of carbon atoms, silicon atoms, and oxygen atoms measured using XPS in the entire region of the anchor layer (2), and the minimum value (Cb) of the ratio of the number of carbon atoms to the total number of carbon atoms, silicon atoms, and oxygen atoms measured using XPS in the entire region of the gas-barrier layer (3), is within the range of 5-35 at%.
(FR) La présente invention vise à procurer un film de barrière contre les gaz qui maintient des performances de barrière contre les gaz et qui a une excellente adhérence entre une couche d'ancrage et une couche de barrière contre les gaz. A cet effet, l'invention porte sur un film de barrière contre les gaz (F), lequel film est caractérisé en ce que : la couche d'ancrage (2) contient une charge contenant du silicium ; la couche de barrière contre les gaz (3) contient de l'oxycarbure de silicium, et la structure de la couche de barrière contre les gaz varie de façon continue dans la direction de l'épaisseur de la couche ; la couche de barrière contre les gaz a un profil contenant des éléments spécifiés ; et la différence (Ca - Cb) entre la valeur moyenne (Ca) du rapport du nombre d'atomes de carbone au nombre total d'atomes de carbone, d'atomes de silicium et d'atomes d'oxygène, mesuré par spectroscopie à photoémission de rayons X dans la totalité de la région de la couche d'ancrage (2), et la valeur minimale (Cb) du rapport du nombre d'atomes de carbone au nombre total d'atomes de carbone, d'atomes de silicium et d'atomes d'oxygène, mesuré par spectroscopie à photoémission de rayons X dans la totalité de la région de la couche de barrière contre les gaz (3), est à l'intérieur de la plage de 5 à 35 % en pourcentage atomique.
(JA) 本発明の課題は、ガスバリアー性能を保持しつつ、アンカー層とガスバリアー層との密着性に優れたガスバリアー性フィルムを提供することである。 本発明のガスバリアー性フィルム(F)は、アンカー層(2)が、ケイ素含有フィラーを含有し、ガスバリアー層(3)が、酸化炭化ケイ素を含有するとともに、層厚方向に組成が連続的に変化し、かつ、特定の各元素の含有プロファイルを有し、アンカー層(2)の全領域におけるXPSにて測定した炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子の総原子数に対する炭素原子数の比率の平均値(Ca)と、ガスバリアー層(3)の全領域におけるXPSにて測定した炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子の総原子数に対する炭素原子数の比率の最小値(Cb)との差(Ca-Cb)が、5~35at%の範囲内であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)