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1. (WO2015115266) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/115266    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051480
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 21.01.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : KOMADA, Satoshi;
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-012934 28.01.2014 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)This nitride semiconductor element comprises a substrate provided with a surface having protrusions and recesses, a nitride semiconductor underlayer present on the substrate, and a nitride semiconductor function layer present on the nitride semiconductor underlayer. The nitride semiconductor under-layer includes, as the face, a surface having protrusions and recesses, said surface being composed of inclined surfaces that are inclined at an angle of 50 to 65° to the C plane. The nitride semiconductor function layer is provided on the nitride semiconductor underlayer surface which has protrusions and recesses.
(FR)Cette invention concerne un élément semi-conducteur au nitrure, comprenant un substrat doté d'une surface présentant des saillies et des creux, une sous-couche de semi-conducteur au nitrure disposée sur le substrat et une couche fonctionnelle de semi-conducteur au nitrure disposée sur la sous-couche de semi-conducteur au nitrure. Ladite sous-couche de semi-conducteur au nitrure comprend, en guise de face, une surface présentant des saillies et des creux, ladite surface étant constituée de surfaces inclinées qui sont inclinées à un angle de 50 à 65° par rapport au plan C. Ladite couche fonctionnelle de semi-conducteur au nitrure est disposée sur la surface de la sous-couche de semi-conducteur au nitrure qui présente des saillies et des creux.
(JA) 窒化物半導体素子は、凹凸表面を有する基板と、基板上の窒化物半導体下地層と、窒化物半導体下地層上の窒化物半導体機能層とを含んでいる。窒化物半導体下地層は、C面に対して50°以上65°以下の角度で傾斜する傾斜面からなる凹凸面を表面として含んでいる。窒化物半導体機能層は、窒化物半導体下地層の凹凸面上に設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)