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1. (WO2015115055) MATÉRIAU D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR BATTERIE SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MATÉRIAU D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR BATTERIE SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX, ET BATTERIE SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/115055    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/000218
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
H01M 4/48 (2010.01), H01M 4/36 (2006.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 10/0566 (2010.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : FURUYA, Masahiro; (JP).
TAKAHASHI, Kohta; (JP).
YOSHIKAWA, Hiroki; (JP).
KAMO, Hiromichi; (JP).
HIROSE, Takakazu; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-017555 31.01.2014 JP
Titre (EN) NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY CELL, METHOD FOR PRODUCING NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY CELL, AND NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY CELL
(FR) MATÉRIAU D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR BATTERIE SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MATÉRIAU D'ÉLECTRODE NÉGATIVE POUR BATTERIE SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX, ET BATTERIE SECONDAIRE À ÉLECTROLYTE NON AQUEUX
(JA) 非水電解質二次電池用負極材及び非水電解質二次電池用負極材の製造方法並びに非水電解質二次電池
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary cell which comprises a conductive powder in which the surface of particles of a silicon-based active substance have been coated by a conductive carbon film, wherein the negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary cell is characterized in that the half-value width of the peak of a d band as determined from the Raman spectrum of the conductive carbon film is 100 cm-1 or greater. Due to this configuration, provided are the following: a negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary cell that retains a high charge-discharge capacity and has excellent cycle properties through the use of the silicon-based active substance; a method for producing a negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary cell; and a nonaqueous electrolyte secondary cell.
(FR)La présente invention concerne un matériau d'électrode négative pour une batterie secondaire à électrolyte non aqueux qui comprend une poudre conductrice dans laquelle la surface des particules d'une substance active à base de silicium ont été revêtues d'un film de carbone conducteur, le matériau d'électrode négative pour batterie secondaire à électrolyte non aqueux étant caractérisé en ce que la largeur de demi-valeur du pic d'une bande d telle que déterminée à partir du spectre Raman du film de carbone conducteur est supérieure ou égale à 100 cm-1. En raison de cette configuration, la présente invention concerne ce qui suit : un matériau d'électrode négative pour batterie secondaire à électrolyte non aqueux qui conserve une grande capacité de charge et de décharge et présente d'excellentes propriétés de cycle grâce à l'utilisation de la substance active à base de silicium ; un procédé de production d'un matériau d'électrode négative pour batterie secondaire à électrolyte non aqueux ; et une batterie secondaire à électrolyte non aqueux.
(JA) 本発明は、珪素系活物質の粒子の表面が導電性炭素膜で被覆された導電性粉末を含む非水電解液二次電池用負極材であって、前記導電性炭素膜のラマンスペクトルから測定されるdバンドのピーク半値幅が100cm-1以上であることを特徴とする非水電解質二次電池用負極材である。これにより、珪素系活物質を使用することによる高い充放電容量を維持しつつ、サイクル性に優れた非水電解質二次電池用負極材及び非水電解質二次電池用負極材の製造方法並びに非水電解質二次電池が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)