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1. (WO2015115002) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF FIN, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT

Pub. No.:    WO/2015/115002    International Application No.:    PCT/JP2014/084087
Publication Date: Fri Aug 07 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Thu Dec 25 00:59:59 CET 2014
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/302
H01L 21/336
H01L 21/8247
H01L 27/115
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
株式会社日立国際電気
Inventors: SHIMAMOTO, Satoshi
島本 聡
YUGAMI, Jiro
由上 二郎
HIROSE, Yoshiro
廣瀬 義朗
KIKUCHI, Toshiyuki
菊池 俊之
Title: PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF FIN, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Abstract:
L'invention concerne, afin de fournir une technique de gravure hautement sélective d'un premier film consistant principalement en du silicium par rapport à un second film ayant une teneur en silicium plus basse que le premier film, un procédé de formation de motif fin comprenant : une étape de formation d'un premier motif fin en formant un film empilé incluant le premier film consistant principalement en du silicium et le second film ayant une teneur en silicium plus basse que le premier film, et de fourniture d'une pluralité de premiers trous dans le film empilé formé ; une étape de formation d'un deuxième motif fin en formant des canaux dans la pluralité respective de premiers trous, puis la fourniture de seconds trous entre les canaux respectifs ; et une étape de gravure d'élimination du premier film adjacent aux seconds trous par une alimentation en gaz de gravure contenant du fluor du deuxième motif fin. Dans l'étape de gravure, le premier film est éliminé jusqu'à ce que le gaz de gravure atteigne le film formant les canaux formés du même type de film que le second film.