WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015115000) DISPOSITIF À FAISCEAU ÉLECTRONIQUE DOTÉ D'UNE POMPE ORBITRON ET PROCÉDÉ DE RAYONNEMENT DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE POUR CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/115000    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/084017
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 24.12.2014
CIB :
H01J 37/18 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventeurs : KANEDA Minoru; (JP).
ITO Hiroyuki; (JP).
MURAKOSHI Hisaya; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-015052 30.01.2014 JP
Titre (EN) ELECTRON BEAM DEVICE EQUIPPED WITH ORBITRON PUMP, AND ELECTRON BEAM RADIATION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU ÉLECTRONIQUE DOTÉ D'UNE POMPE ORBITRON ET PROCÉDÉ DE RAYONNEMENT DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE POUR CELUI-CI
(JA) オービトロンポンプを備えた電子線装置、およびその電子線照射方法
Abrégé : front page image
(EN)Having such objective as preventing beam blurring from occurring for a primary electron beam (203) to remedy beam instability in an electron beam device equipped with an orbitron pump (120), the present invention relates to bringing the electric potential of an extraction electrode (201), which extracts the electron beam (203) from an electron source (200), to lower than the electric potential of the orbitron pump (120) filament (101), or the like, when the vacuum container holding the electron source (200) is being evacuated by the orbitron pump (120). According to the present invention, no electrons from the filament (101), or the like, leak out of the orbitron pump (120) and reach the extraction electrode (201). This prevents beam blurring from occurring for the primary electron beam (203) and remedies beam instability.
(FR)La présente invention vise à éviter le brouillage de faisceau d'un faisceau électronique primaire (203) afin de pallier l'instabilité d'un dispositif à faisceau électronique équipé d'une pompe orbitron (120). Plus précisément, l'invention consiste à réduire le potentiel électrique d'une électrode d'extraction (201) qui extrait le faisceau électronique (203) d'une source d'électrons (200) afin qu'il soit inférieur au potentiel électrique du filament (101) de la pompe orbitron (120) ou similaire, quand le récipient à vide contenant la source d'électrons (200) est évacué par la pompe orbitron (120). Selon l'invention, aucun électron provenant du filament (101) ou similaire ne fuit hors de la pompe orbitron (120) pour atteindre l'électrode d'extraction (201). Ceci évite le brouillage de faisceau du faisceau électronique primaire (203) et pallie l'instabilité du faisceau.
(JA)本発明は、オービトロンポンプ(120)を備えた電子線装置において、一次電子ビーム(203)のビームぼけを防止し、ビーム不安定性を改善することなどを目的として、電子源(200)を保持する真空容器をオービトロンポンプ(120)により真空排気するときに、電子源(200)から電子線(203)を引き出す引出電極(201)の電位を、オービトロンポンプ(120)のフィラメント(101)などの電位より低くすることに関する。本発明によれば、フィラメント(101)などからの電子がオービトロンポンプ(120)から漏れ出し、引出電極(201)に到達することが無くなる。これにより、一次電子ビーム(203)のビームぼけを防止し、ビーム不安定性を改善する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)