WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2015114977) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/114977 N° de la demande internationale : PCT/JP2014/083380
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 17.12.2014
CIB :
H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs : MIDORIKAWA, Yohei; JP
TANAKA, Atsushi; JP
Mandataire : KANEMOTO, Tetsuo; JP
Données relatives à la priorité :
2014-01417829.01.2014JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Abrégé :
(EN) The substrate processing device has an exhaust mechanism for evacuating the interior of a processing container. The processing container comprises: a bottomed main body part with an open upper face; a cylindrically-shaped cylinder part provided with a flange for hermetically closing the upper face of the main body part, and a side wall whereof the diameter is smaller than that of the main body part and whereof the diameter is larger than that of the outer face of a stage; and, provided on the upper face of the flange, a lid body for hermetically closing the opening of the main body part. A groove portion depressed downward into a U shape is formed on the upper face of the flange, a heater being disposed in said groove portion. The side wall of the cylinder part is formed so as to extend lower than the upper face of the stage. Provided at the lower end of the side wall is a locking member protruding towards the center of the side wall. A baffle plate having a plurality of holes formed therein is provided on the upper face of the locking member.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui comprend un mécanisme d'évacuation pour la mise sous vide de l'intérieur d'un récipient de traitement. Le récipient de traitement comprend : une partie de corps principal à fond munie d'une face supérieure ouverte ; une partie cylindrique de forme cylindrique munie d'une bride pour fermer hermétiquement la face supérieure de la partie de corps principal et d'une paroi latérale dont le diamètre est inférieur à celui de la partie de corps principal et dont le diamètre est supérieur à celui de la face extérieure d'un palier ; et, se trouvant sur la face supérieure de la bride, un corps de couvercle pour fermer hermétiquement l'ouverture de la partie de corps principal. Une portion en rainure enfoncée vers le bas en forme de U est formée sur la face supérieure de la bride et un élément chauffant est disposé dans ladite portion en rainure. La paroi latérale de la partie cylindrique est formée de manière à s'étendre plus bas que la face supérieure du palier. Un élément de verrouillage qui fait saillie en direction du centre de la paroi latérale se trouve à l'extrémité inférieure de la paroi latérale. Une plaque de déflexion dans laquelle est formée une pluralité de trous se trouve sur la face supérieure de l'élément de verrouillage.
(JA)  基板処理装置は処理容器内を排気する排気機構を有し、当該処理容器は、上面が開口した有底の本体部と、本体部の上面を気密に塞ぐフランジ及び本体部より直径が小さく且つ載置台の外側面より直径が大きな側壁を備えた円筒形状の円筒部と、フランジの上面に設けられ、本体部の開口を気密に塞ぐ蓋体とを有し、フランジの上面には下方に凹に窪んだ溝部が形成され、当該溝部にはヒータが配置され、円筒部の側壁は載置台の上面よりも下方に延伸して形成され、側壁の下端には、側壁の中心方向に向けて突出する係止部材が設けられ、係止部材の上面には、複数の開口が形成されたバッフル板が配置されている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)