WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015114937) PILE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/114937    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/081746
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 01.12.2014
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : MITTA Ryo; (JP).
WATABE Takenori; (JP).
OTSUKA Hiroyuki; (JP)
Mandataire : ORISAKA Shigeki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-016450 31.01.2014 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
(FR) PILE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a solar cell, which has low costs, high reliability and high conversion efficiency. [Solution] A solar cell manufacturing method, wherein: a second conductivity-type layer and an antireflection film are formed by lamination on a first conductivity-type semiconductor substrate; a conductive paste containing conductive particles and glass frits is applied to a predetermined location on the antireflection film; and an electrode is formed by firing the semiconductor substrate having the conductive paste applied thereto, said electrode penetrating the antireflection film and being electrically connected to the second conductivity-type layer. The semiconductor substrate having the conductive paste applied thereto is continuously heat-treated just after the firing without return to a room temperature.
(FR)Le problème à résoudre par la présente invention consiste à pourvoir à une pile solaire qui soit économique et présente une grande fiabilité et une grande efficacité de conversion. La solution consiste en un procédé de fabrication de piles solaires qui passe par les étapes suivantes : une seconde couche du type conductivité et un film antireflet sont formés sur un premier substrat semi-conducteur du type conductivité par stratification ; une pâte conductrice contenant des particules conductrices et des frittes de verre est appliquée sur une position prédéfinie du film antireflet ; et une électrode est formée par la cuisson du substrat semi-conducteur sur lequel la pâte conductrice est appliquée, ladite électrode pénétrant dans le film antireflet et étant connectée électriquement à la seconde couche du type conductivité. Le substrat semi-conducteur sur lequel la pâte conductrice est appliquée est traité à chaud en continu juste après la cuisson, sans revenir à la température ambiante.
(JA)【課題】 安価で信頼性が高く変換効率の高い太陽電池セルを提供する。 【解決手段】 第一導電型半導体基板上に第二導電型層と反射防止膜を積層形成し、該反射防止膜の所定の位置に導電性粒子とガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布し、該導電性ペーストを塗布した半導体基板を焼成して、該反射防止膜を貫通し、該第二導電型層と電気的に接続した電極を形成する工程を有する太陽電池セルの製造方法において、導電性ペーストを塗布した半導体基板を、焼成した直後に、室温に戻すことなく連続して加熱処理する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)