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1. (WO2015114914) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ga ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/114914    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/080465
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 18.11.2014
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01), B22F 3/10 (2006.01), C22C 1/04 (2006.01), C22C 1/05 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), H01L 31/0749 (2012.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : YOSHIDA Yuuki; (JP).
ISHIYAMA Kouichi; (JP).
MORI Satoru; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-013184 28.01.2014 JP
Titre (EN) Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ga ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This Cu-Ga alloy sputtering target is a fired body having a composition that contains 29.5-43.0% by atom of Ga with the balance made up of Cu and unavoidable impurities. A Cu-Ga alloy crystal grain in the fired body has a structure wherein γ-phase particles are dispersed in a γ1-phase crystal grain. A method for producing the above-described sputtering target comprises: a step wherein a molded body that is formed of a mixed powder of a pure Cu powder and a Cu-Ga alloy powder is fired at atmospheric pressure by being heated in a reducing atmosphere; and a step wherein the thus-obtained fired body is cooled at a cooling rate of 0.1-1.0°C/min in a temperature range of 450-650°C.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation en alliage Cu-Ga qui est un corps chauffé ayant une composition qui contient entre 29,5 et 43,0 % en atome de gallium (Ga), le reste étant composé de cuivre (Cu) et d'impuretés inévitables. Un grain cristallin d'alliage Cu-Ga dans le corps chauffé présente une structure où les particules de phase γ sont dispersées dans un grain cristallin de phase γ1. Un procédé permettant de produire la cible de pulvérisation susmentionnée comprend : une étape au cours de laquelle un corps moulé qui est composé d'une poudre mixte composée d'une poudre de cuivre pure et d'une poudre d'alliage de Cu-Ga, est chauffé à pression atmosphérique en étant chauffé dans une atmosphère réductrice; et une étape au cours de laquelle le corps chauffé ainsi obtenu est refroidi à une vitesse de refroidissement comprise entre 0,1 et 1,0 °C/min dans une plage de température allant de 450 à 650 °C.
(JA) 本発明のCu-Ga合金スパッタリングターゲットは、Ga:29.5~43.0原子%と、残部:Cu及び不可避不純物との組成を有する焼成体であり、該焼成体におけるCu-Ga合金結晶粒は、γ相粒子がγ相結晶粒中に分散した組織を有する。また、上記スパッタリングターゲットを製造する方法は、純Cu粉末とCu-Ga合金粉末との混合粉末からなる成形体を、還元性雰囲気中で加熱して常圧焼成する工程と、これにより得られた焼成体を、温度:450~650℃の範囲において0.1~1.0℃/minの冷却速度で冷却する工程とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)