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1. (WO2015114896) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PORTE-SUBSTRAT UTILISÉ DANS CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/114896    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/078600
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 28.10.2014
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : MORISAKI Eisuke; (JP).
MACHIYAMA Wataru; (JP).
KOBAYASHI Hirokatsu; (JP).
HARASHIMA Masayuki; (JP).
SANO Yukio; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-013137 28.01.2014 JP
Titre (EN) FILM-FORMING APPARATUS AND SUBSTRATE HOLDER USED THEREIN
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PORTE-SUBSTRAT UTILISÉ DANS CELUI-CI
(JA) 成膜装置およびそれに用いる基板ホルダー
Abrégé : front page image
(EN)This film-forming apparatus for forming compound semiconductor films on substrates performs film formation by supplying a processing gas to the inside of a processing container, while heating a plurality of substrates (W) with heat generated by inductively heating a substrate holder (34) in a state wherein the substrate holder (34) is holding the substrates (W) in the processing container. The substrate holder (34) has a plurality of recessed sections (37) for holding and aligning the substrates (W), said recessed sections being aligned in the circumferential direction, and between the recessed sections (37) adjacent to each other, connecting recessed sections (38) for connecting the recessed sections are formed.
(FR)L'invention concerne un appareil de formation de film qui est destiné à former des films à semi-conducteur mixte sur des substrats, et qui réalise une formation de film en fournissant un gaz de traitement à l'intérieur d'un contenant de traitement, tout en chauffant une pluralité de substrats (W) avec de la chaleur générée par la chauffe inductive d'un porte-substrat (34) dans un état dans lequel le porte-substrat (34) maintient les substrats (W) dans le contenant de traitement. Le porte-substrat (34) comprend une pluralité de section évidées (37) permettant de maintenir et d'aligner les substrats (W), lesdites sections évidées étant alignées dans la direction circonférentielle, et des sections évidées de raccordement (38) destinées à raccorder les sections évidées sont formées entre les sections évidées (37) adjacentes les unes aux autres.
(JA) 基板上に化合物半導体膜を成膜する成膜装置は、処理容器内で基板ホルダー(34)に複数の基板(W)を保持した状態で、基板ホルダー(34)を誘導加熱してその熱で基板(W)を加熱しつつ、処理容器内に処理ガスを供給して成膜を行う。基板ホルダー(34)は、周方向に沿って配列された、基板(W)を収容して位置決めするための複数の凹部(37)を有し、凹部(37)の隣接するものどうしの間には、これらを連結する連結凹部(38)が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)