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1. (WO2015114790) CIRCUIT DE COMMANDE DE GRILLE ET SYSTÈME ONDULEUR POSSÉDANT UN CIRCUIT DE COMMANDE DE GRILLE MONTÉ EN SON SEIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/114790    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/052199
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 31.01.2014
CIB :
H02M 1/08 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : HATANAKA Ayumu; (JP).
ISHIKAWA Katsumi; (JP).
MASUDA Toru; (JP).
KAGEYAMA Hiroshi; (JP).
OGAWA Kazutoshi; (JP).
MORI Kazuhisa; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GATE DRIVE CIRCUIT AND INVERTER SYSTEM HAVING GATE DRIVE CIRCUIT MOUNTED THEREIN
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE DE GRILLE ET SYSTÈME ONDULEUR POSSÉDANT UN CIRCUIT DE COMMANDE DE GRILLE MONTÉ EN SON SEIN
(JA) ゲート駆動回路及びそれを搭載したインバータシステム
Abrégé : front page image
(EN)For the purpose of shortening a dead time in a semiconductor element gate drive circuit and an inverter system having the gate drive circuit mounted therein, a gate drive circuit (100U) of the present invention is provided with: a PWM drive signal generating circuit (110U); a gate resistor (120U); a differential amplifier circuit (130U) for performing differential amplification of a voltage applied to the gate resistor (120U); an RS-type flip-flop circuit (140U); a differential amplifier (150U) for performing differential amplification of an output voltage of the RS-type flip-flop circuit (140U); and an MOSFET (160U) that turns on/off by means of signals of the differential amplifier (150U). In the cases where a voltage applied to the gate resistor (120U) is detected during a period when the PWM signal is in the off-state, the MOSFET (160U) is turned on, and an upper arm MOSFET (SiC-MOSFET) (S1U) using SiC is driven to turn on.
(FR)La présente invention a pour objet de raccourcir un temps mort dans un circuit de commande de grille d'élément semi-conducteur et un système onduleur possédant le circuit de commande de grille monté en son sein. Un circuit (100U) de commande de grille selon la présente invention est doté des éléments suivants : un circuit (110U) de génération de signal de commande PWM ; une résistance (120U) de grille ; un circuit (130U) d'amplificateur différentiel afin d'exécuter une amplification différentielle d'une tension appliquée à la résistance (120U) de grille ; un circuit bistable (140U) du type RS ; un amplificateur différentiel (150U) afin d'exécuter une amplification différentielle d'une tension de sortie du circuit bistable (140U) du type RS ; et un MOSFET (160U) qui s'active/se désactive au moyen de signaux de l'amplificateur différentiel (150U). Dans les cas où une tension appliquée à la résistance (120U) de grille est détectée pendant une période où le signal PWM se trouve à l'état bloqué, le MOSFET (160U) est activé et un MOSFET de bras supérieur (SiC-MOSFET) (S1U) utilisant du SiC est attaqué pour devenir passant.
(JA)半導体素子のゲート駆動回路及びそれを搭載したインバータシステムにおいて、デッドタイムを短縮することを目的として、本発明のゲート駆動回路100U は、PWM 駆動信号生成回路110U と、ゲート抵抗120U と、ゲート抵抗120U間にかかる電圧を差動増幅するための差動増幅回路130U と、RS 型フリップフロップ回路140U と、140U の出力電圧を差動増幅するための差動増幅器150Uと、150U の信号でオン/オフ動作するMOSFET 160U とを備え、PWM 信号がオフ状態である期間に、ゲート抵抗120U 間にかかる電圧を検出した場合にMOSFET 160U をオン動作させて、上アームのSiC を用いたMOSFET(SiC-MOSFET)S1U をターンオンするように駆動する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)