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1. (WO2015114747) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2015/114747    International Application No.:    PCT/JP2014/051909
Publication Date: Fri Aug 07 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Thu Jan 30 00:59:59 CET 2014
IPC: H01L 29/739
H01L 29/06
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAMURA Katsumi
中村 勝光
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abstract:
L'invention concerne un substrat semi-conducteur (SB) comprenant une région de dérive (1) et une région de collecteur (3). La région de dérive (1) est agencée sur une zone active (AR1), une zone d'interface (AR2) et une zone de terminaison de bord (AR3). La région de collecteur (3) est agencée uniquement dans la zone active (AR1) et forme une partie d'une seconde surface (S2). Un électrode émettrice (13a) est agencée dans la zone active (AR1) et est en contact avec une première surface (S1) du substrat semi-conducteur (SB). Une électrode collectrice (4) est agencée sur la seconde surface (S2) du substrat semi-conducteur (SB) et est en contact avec la région de collecteur (3).