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1. (WO2015114356) RECUIT RÉACTIF SOUS H2S POUR RÉDUCTION DU CARBONE DANS DES COUCHES MINCES OBTENUES À PARTIR DE NANOPARTICULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/114356    N° de la demande internationale :    PCT/GB2015/050227
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 30.01.2015
CIB :
H01L 31/032 (2006.01)
Déposants : NANOCO TECHNOLOGIES LTD [GB/GB]; 46 Grafton Street Manchester M13 9NT (GB)
Inventeurs : KIRKHAM, Paul; (GB).
ALLEN, Cary; (GB).
WHITELEGG, Stephen; (GB)
Mandataire : MARKS & CLERK LLP; 1 New York Street Manchester Greater Manchester M1 4HD (GB)
Données relatives à la priorité :
61/934,495 31.01.2014 US
Titre (EN) H2S REACTIVE ANNEAL TO REDUCE CARBON IN NANOPARTICLE-DERIVED THIN FILMS
(FR) RECUIT RÉACTIF SOUS H2S POUR RÉDUCTION DU CARBONE DANS DES COUCHES MINCES OBTENUES À PARTIR DE NANOPARTICULES
Abrégé : front page image
(EN)A method for preparing CIGS absorber layers using CIGS nanoparticles on a substrate comprises one or more annealing steps that involve heating the CIGS nanoparticle film(s) to dry the film and possibly to fuse the CIGS nanoparticles together to form CIGS crystals. Generally, at least the final annealing step will induce particle fusion to form CIGS crystals. Reactive gas annealing has been found to facilitate the growth of larger grains in the resulting CIGS absorber layers and lead to improved photovoltaic performance of those layers. It is suspected that the presence of carbon in CIGS nanoparticle films hinders grain growth and limits the size of crystals which can be obtained in CIGS films upon annealing. It has been discovered that exposing the CIGS nanoparticle films to a reactive atmosphere containing sulfur can decrease the amount of carbon in the film, resulting in the growth of larger CIGS crystals upon annealing.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation de couches d'absorbeur CIGS à l'aide de nanoparticules CIGS sur un substrat, qui comprend une ou plusieurs étapes de recuit consistant à chauffer la ou les couches de nanoparticules CIGS pour sécher les couches et possiblement fusionner ensemble les nanoparticules CIGS afin de former des cristaux CIGS. De façon générale, au moins l'étape de recuit finale induira une fusion de particules pour former des cristaux CIGS. On a constaté qu'un recuit sous gaz réactif facilitait la croissance de grains plus gros dans les couches d'absorbeur CIGS résultantes et entraînait une amélioration du rendement photovoltaïque de ces couches. On suspecte que la présence de carbone dans des couches de nanoparticules fait obstacle à la croissance des grains et limite la taille de cristaux qui peuvent être obtenus dans des couches CIGS lors du recuit. On a découvert que l'exposition des couches de nanoparticules CIGS à une atmosphère réactive contenant du soufre pouvait réduire la quantité de carbone dans la couche, entraînant la croissance de plus gros cristaux CIGS lors du recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)