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1. (WO2015113894) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/113894    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/051284
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 22.01.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.11.2015    
CIB :
C01B 33/035 (2006.01)
Déposants : WACKER CHEMIE AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Inventeurs : HERTLEIN, Harald; (DE).
POPP, Friedrich; (US)
Mandataire : KILLINGER, Andreas; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 201 893.5 03.02.2014 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
(EN) METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, bei dem ein Reaktionsgas enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor eingeleitet wird, wobei der Reaktor wenigstens einen Trägerkörper aus Silicium umfasst, der durch direkten Stromdurchgang erhitzt wird, wobei die Silicium enthaltende Komponente zersetzt wird und sich polykristallines Silicium auf dem wenigstens einen Trägerkörper abscheidet, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Trägerkörper aus Silicium eine Oxidschicht aufweist, die vor Beginn der Abscheidung von polykristallinem Silicium auf dem wenigstens einen Trägerkörper dadurch entfernt wird, dass der wenigstens eine Trägerkörper auf eine Temperatur von 1100-1200°C aufgeheizt und bei einem Druck von 0,1 bis 5 barü einer Atmosphäre enthaltend Wasserstoff ausgesetzt wird, indem ein Spülgas enthaltend Wasserstoff dem Reaktor zugeführt wird.
(EN)The invention relates to a method for producing polycrystalline silicon. A reaction gas containing a silicon-containing component and hydrogen is introduced into a reactor which comprises at least one support body made of silicon, said support body being heated by a direct passage of current. The silicon-containing component is decomposed, and polycrystalline silicon is deposited on the at least one support body. The invention is characterized in that the at least one support body made of silicon has an oxide layer which is removed before starting to deposit the polycrystalline silicon on the at least one support body, and the at least one support body is heated to a temperature of 1100-1200 °C and exposed to an atmosphere containing hydrogen at a pressure of 0.1 to 5 bar, wherein a flushing gas containing hydrogen is introduced into the reactor.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin dans lequel un gaz de réaction comprenant un composant contenant du silicium et de l'hydrogène est introduit dans un réacteur, le réacteur comprenant au moins un corps de support en silicium qui est chauffé par passage direct de courant, le composant contenant du silicium étant décomposé et du silicium polycristallin se déposant sur l'au moins un corps de support. L'invention est caractérisée en ce que l'au moins un corps de support constitué de silicium comporte une couche d'oxyde qui est éliminée avant le dépôt de silicium polycristallin sur l'au moins un corps de support en raison du fait que l'au moins un corps de support est chauffé à une température de 1100 à 1200°C et est exposé à une atmosphère contenant de l'hydrogène à une pression de 0,1 à 5 bars à l'aide d'un gaz de purge contenant de l'hydrogène amené au réacteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)