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1. (WO2015113317) STRUCTURE DE CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE, BATTERIE SOLAIRE APPLIQUANT CELLE-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/113317    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/073016
Date de publication : 06.08.2015 Date de dépôt international : 07.03.2014
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01)
Déposants : AU OPTRONICS CORPORATION [CN/CN]; No.1, Li-Hsin Road II, Science-Based Industrial Park Hsin-Chu, Taiwan 30078 (CN)
Inventeurs : HUANG, Mingyi; (CN).
YANG, Pochuan; (CN).
HE, Jrhau; (CN).
WANG, Hsinping; (CN).
LIN, Tzuyin; (CN)
Mandataire : LUNGTIN INTERNATIONAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; 18th Floor, Tower B, Grand Place, No. 5 Huizhong Road Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
201410041878.X 28.01.2014 CN
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC CONVERSION STRUCTURE, SOLAR BATTERY APPLYING SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE DE CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE, BATTERIE SOLAIRE APPLIQUANT CELLE-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 光电转换结构、应用其的太阳能电池与其的制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a photovoltaic conversion structure comprising a substrate (110), a first semiconductor structure (120) and a second semiconductor structure (130). The substrate is provided with a first surface (102) and a second surface (104) which are opposite to each other. The first surface (102) is provided with a plurality of micron structures (116') and a plurality of nano-structures (114'). The nano-structures (114') are distributed on the surfaces of the micron structures (116'), and the height of each nano-structure (114') is about 500-900 nanometers. The first semiconductor structure (120) is arranged on the first surface of the substrate (110). The second semiconductor structure is arranged on the second surface (104) of the substrate (110).
(FR)L'invention concerne une structure de conversion photovoltaïque qui comprend un substrat (110), une première structure à semi-conducteur (120) et une seconde structure à semi-conducteur (130). Le substrat est pourvu d'une première surface (102) et d'une seconde surface (104) qui sont opposées l'une à l'autre. La première surface (102) est pourvue d'une pluralité de micro-structures (116') et d'une pluralité de nano-structures (114'). Les nano-structures (114') sont réparties sur les surfaces des micro-structures (116') et la hauteur de chaque nano-structure (114') est d'environ 500 à 900 nanomètres. La première structure à semi-conducteur (120) est agencée sur la première surface du substrat (110). La seconde structure à semi-conducteur est agencée sur la seconde surface (104) du substrat (110).
(ZH)提供一种光电转换结构,包含基板(110),第一半导体结构(120)与第二半导体结构(130)。基板具有两相对的第一表面(102)与第二表面(104)。第一表面(102)具有多个微米结构(116')以及多个纳米结构(114')。纳米结构(114')分布于微米结构(116')表面上,且纳米结构(114')的高度为约500纳米900至纳米。第一半导体结构(120)置于基板(110)的第一表面上。第二半导体结构置于基板(110)的第二表面(104)上。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)