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1. (WO2015112969) SUPPORT DE TRANCHE DOTÉ DE POCHES DE RÉTENTION AYANT DES RAYONS COMPOSÉS POUR DES SYSTÈMES DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112969    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012884
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 26.01.2015
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : VEECO INSTRUMENTS INC. [US/US]; Terminal Drive Plainview, NY 11803 (US)
Inventeurs : KRISHNAN, Sandeep; (US).
URBAN, Lukas; (US)
Mandataire : BRAGINSKY, Vadim; (US)
Données relatives à la priorité :
61/931,966 27.01.2014 US
Titre (EN) WAFER CARRIER HAVING RETENTION POCKETS WITH COMPOUND RADII FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS
(FR) SUPPORT DE TRANCHE DOTÉ DE POCHES DE RÉTENTION AYANT DES RAYONS COMPOSÉS POUR DES SYSTÈMES DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)A wafer carrier for use in a chemical vapor deposition (CVD) system includes a plurality of wafer retention pockets, each having a peripheral wall surface surrounding a floor surface and defining a periphery of that wafer retention pocket. Each wafer retention pocket has a periphery with a shape defined by at least a first arc having a first radius of curvature situated around a first arc center and a second arc having a second radius of curvature situated around a second arc center. The second arc is different from the first arc, either by its radius of curvature, arc center, or both.
(FR)L'invention concerne un support de tranche à utiliser dans un système de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) incluant une pluralité de poches de rétention de tranche, ayant chacune une surface de paroi périphérique entourant une surface de sol et définissant une périphérie de cette poche de rétention de tranche. Chaque poche de rétention de tranche a une périphérie ayant une forme définie par au moins un premier arc ayant un premier rayon de courbure situé autour d'un premier centre d'arc et un second arc ayant un second rayon de courbure situé autour d'un second centre d'arc. Le second arc est différent du premier arc, par son rayon de courbure, son centre d'arc ou les deux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)