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1. (WO2015112943) DISPOSITIF À DEL À RÉFLECTEUR DE BRAGG ET PROCÉDÉ DE DÉCOUPAGE DE SUBSTRATS DE TRANCHE DE DEL EN DÉS LE COMPORTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112943    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012834
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 26.01.2015
CIB :
H01L 33/10 (2010.01)
Déposants : GLO AB [SE/SE]; Ideon Science Park Scheelevägen 17 S-223 70 Lund (SE).
HERNER, Scott Brad [US/US]; (US)
Inventeurs : HERNER, Scott Brad; (US)
Mandataire : RADOMSKY, LEON; The Marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive 15th Floor Reston, Virginia 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
61/931,906 27.01.2014 US
61/931,925 27.01.2014 US
Titre (EN) LED DEVICE WITH BRAGG REFLECTOR AND METHOD OF SINGULATING LED WAFER SUBSTRATES INTO DICE WITH SAME
(FR) DISPOSITIF À DEL À RÉFLECTEUR DE BRAGG ET PROCÉDÉ DE DÉCOUPAGE DE SUBSTRATS DE TRANCHE DE DEL EN DÉS LE COMPORTANT
Abrégé : front page image
(EN)A method of dicing semiconductor devices from a substrate includes forming a Bragg reflector over a bottom side of the substrate, where the bottom side is opposite of a top side, generating a pattern of defects in the substrate with a laser beam from the bottom side of the substrate, and applying pressure to the substrate to dice the substrate along the pattern of defects. The Bragg reflector includes a first layer of dielectric material having a first index of refraction and a second dielectric material having a second index of refraction different from the first index of refraction.
(FR)L'invention concerne un procédé de découpage d'un substrat en dés de dispositifs à semi-conducteurs, qui consiste à former un réflecteur de Bragg sur un côté inférieur du substrat, le côté inférieur étant opposé à un côté supérieur, à générer un motif de défauts dans le substrat avec un faisceau laser à partir du côté inférieur du substrat, et à appliquer une pression au substrat pour découper le substrat en dés le long du motif de défauts. Le réflecteur de Bragg comprend une première couche de matériau diélectrique possédant un premier indice de réfraction et un second matériau diélectrique possédant un second indice de réfraction différent du premier indice de réfraction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)