WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015112921) MODULATEUR ÉLECTRO-OPTIQUE DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE CONDENSATEUR VERTICALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112921    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012791
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 24.01.2015
CIB :
G02F 1/025 (2006.01)
Déposants : CISCO TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 170 West Tasman Drive San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : PATEL, Vipulkumar; (US).
GOTHOSKAR, Prakash; (US)
Mandataire : MCCLELLAN, Gero, G.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/931,314 24.01.2014 US
Titre (EN) ELECTRO-OPTICAL MODULATOR WITH A VERTICAL CAPACITOR STRUCTURE
(FR) MODULATEUR ÉLECTRO-OPTIQUE DOTÉ D'UNE STRUCTURE DE CONDENSATEUR VERTICALE
Abrégé : front page image
(EN)An optical modulator may include a leftmost waveguide, a rightmost waveguide, and a dielectric layer disposed therebetween. In one embodiment, the waveguides may be disposed on the same plane. When a voltage potential is created between the rightmost and leftmost waveguides, these layers form a silicon-insulator-silicon capacitor (also referred to as SISCAP) structure that provides efficient, high-speed optical modulation of an optical signal passing through the modulator. As opposed to a horizontal SISCAP structure where the dielectric layer is disposed between upper and lower waveguides, arranging the dielectric layer between waveguides disposed on the same plane results in a vertical SISCAP structure. In one embodiment, the leftmost and rightmost waveguide are both made from crystalline silicon.
(FR)Un modulateur optique peut comprendre un guide d'ondes le plus à gauche, un guide d'ondes le plus à droite, et une couche diélectrique disposée entre eux. Dans un mode de réalisation, les guides d'ondes peuvent être disposés sur le même plan. Lorsqu'un potentiel de tension est créé entre les guides d'ondes le plus à droite et le plus à gauche, ces couches forment une structure de condensateur silicium-isolant-silicium (également appelé SISCAP) qui permet une modulation optique haute vitesse et efficace d'un signal optique passant par le modulateur. Contrairement à une structure SISCAP horizontale dans laquelle la couche diélectrique est disposée entre des guides d'ondes supérieur et inférieur, l'agencement de la couche diélectrique entre les guides d'ondes disposés sur le même plan donne une structure SISCAP verticale. Dans un mode de réalisation, les guides d'ondes le plus à gauche et le plus à droite sont tous les deux faits de silicium cristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)