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1. (WO2015112814) MODULATEUR ÉLECTRO-OPTIQUE UTILISANT DES GUIDES D'ONDES À NERVURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/112814    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012608
Date de publication : 30.07.2015 Date de dépôt international : 23.01.2015
CIB :
G02F 1/025 (2006.01)
Déposants : CISCO TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 170 West Tasman Drive San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : ADAMS, Donald; (US).
GOTHOSKAR, Prakash; (US).
PATEL, Vipulkumar; (US).
WEBSTER, Mark; (US)
Mandataire : MCCLELLAN, Gero G.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/931,314 24.01.2014 US
Titre (EN) ELECTRO-OPTICAL MODULATOR USING RIBBED WAVEGUIDES
(FR) MODULATEUR ÉLECTRO-OPTIQUE UTILISANT DES GUIDES D'ONDES À NERVURES
Abrégé : front page image
(EN)An optical modulator may include a lower waveguide, an upper waveguide, and a dielectric layer disposed therebetween. When a voltage potential is created between the lower and upper waveguides, these layers form a silicon-insulator-silicon capacitor (also referred to as SISCAP) guide that provides efficient, high-speed optical modulation of an optical signal passing through the modulator. In one embodiment, at least one of the waveguides includes a respective ridge portion aligned at a charge modulation region which may aid in confining the optical mode laterally (e.g., in the width direction) in the optical modulator. In another embodiment, ridge portions may be formed on both the lower and the upper waveguides. These ridge portions may be aligned in a vertical direction (e.g., a thickness direction) so that ridges overlap which may further improve optical efficiency by centering an optical mode in the charge modulation region.
(FR)La présente invention concerne un modulateur optique qui peut comprendre un guide d'ondes inférieur, un guide d'ondes supérieur, et une couche diélectrique située entre eux. Lorsqu'un potentiel de tension est créé entre les guides d'ondes inférieur et supérieur, ces couches forment un guide pour condensateur silicium-isolant-silicium (également appelé SISCAP), qui assure une modulation optique efficace à grande vitesse d'un signal optique traversant le modulateur. Selon un mode de réalisation, au moins un des guides d'ondes comporte une partie nervure respective qui est alignée dans une région de modulation de charge, et qui peut faciliter le confinement latéral (par exemple dans le sens de la largeur) du mode optique dans le modulateur optique. Selon un autre mode de réalisation, des parties nervures peuvent se trouver sur les guides d'ondes inférieur et supérieur. Ces parties nervures peuvent être alignées dans une direction verticale (par exemple le sens de l'épaisseur) de sorte que les nervures se chevauchent, ce qui peut améliorer encore le rendement optique grâce au centrage d'un mode optique dans la région de modulation de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)